[发明专利]发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法，包括：将氧化铟锌前驱体沉积在基质上，形成氧化铟锌前驱体薄膜；采用红外激光照射氧化铟锌前驱体薄膜，进行退火处理，形成氧化铟锌薄膜；采用紫外激光照射氧化铟锌薄膜，进行后退火处理。解决了现有电子传输层的退火工艺容易造成对器件内部损伤的问题。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，氧化铟锌(IZO)凭借其优良的电学特性以及良好的可见光透过率，在制备太阳能电池、薄膜晶体管和发光二极管等方面应用广泛，并具有着广阔的发展前景。由于具有制作周期短、成分可控、工艺简单和成本低廉等优点，采用溶胶凝胶法制备氧化铟锌(IZO)的方法可满足大部分研发需求而被广泛使用。

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)主要由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等功能膜层构成类似p-i-n结的结构。电子与空穴的平衡是影响器件性能的重要因素，因此如何优化电子和空穴的传输效率直接影响了QLED器件寿命与性能的提升。现有制备电子传输层的工艺中，常以氧化铟锌(IZO)作为电子传输层材料涂覆在量子点发光层上，然后进行退火处理。退火温度和时间影响着器件的性能和寿命，采用溶胶凝胶法制备的氧化铟锌薄膜的退火温度可高达600℃，退火温度过高，容易造成对器件内部损伤，导致荧光淬灭。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种发光二极管的制备方法，旨在解决现有电子传输层的退火工艺容易造成对器件内部损伤的问题。

本发明的另一目的在于提供一种由上述制备方法制得的发光二极管。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供基质和氧化铟锌前驱体，将所述氧化铟锌前驱体沉积在所述基质上，形成氧化铟锌前驱体薄膜；

采用红外激光照射所述氧化铟锌前驱体薄膜，进行退火处理，形成氧化铟锌薄膜；

采用紫外激光照射所述氧化铟锌薄膜，进行后退火处理。

本发明提供的发光二极管的制备方法，一方面，采用红外激光照射氧化铟锌前驱体薄膜，使得材料表面的温度瞬间提高产生热效应，以形成氧化铟锌薄膜，从而达到退火的目的，短暂而有效，大大降低了退火时间，降低了器件与水氧接触的风险，有利于提升器件的使用寿命；同时，短暂而有效的激光退火还降低了膜层的粗糙程度，提高了膜层结晶度，从而提高了电阻率；而且，由于红外激光直接辐射氧化铟锌前驱体薄膜，使得由红外激光产生的高温主要作用于氧化铟锌前驱体薄膜，避免了高温对器件内部结构造成破坏，整体上提高了器件的发光性能。另一方面，在红外激光进行退火处理之后，采用了紫外激光进行后退火处理，紫外激光具有高光子能量，可直接破坏有机物的共价键，促进残留在膜层中的难挥发有机物被分解成气态分子而挥发到外界，消除了残留有机物对膜层电学性能的影响，且避免了采用长时间高温分解膜层中残留有机物的方法所导致的器件内部发生损伤的问题。因而，本发明实施例在制备电子传输层时使用先后采用红外激光和紫外激光退火的方法，在实现了有效退火的同时，兼顾了退火对器件内部可能造成的影响，且大大缩短了退火时间，改善了膜层的性能，可从整体上提高了器件的性能和寿命。

相应的，一种发光二极管，由上述制备方法制得。

本发明提供的发光二极管，由上述制备方法制得，具有良好的发光性能和使用寿命。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种发光二极管的制备方法流程图；

图2为本发明实施例提供的一种发光二极管的结构简图；

图3为实施例1制得的电子传输层的AFM图像；