[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供阴极；

在所述阴极上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层远离所述阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层；

在所述第一过渡金属氧化物层远离所述量子点发光层的一侧形成石墨烯层；

采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离所述第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层；

在所述第二过渡金属氧化物层远离所述石墨烯层的一侧形成阳极，以得到所述量子点发光二极管；

其中，

所述采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离所述第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层的步骤，包括：

在所述石墨烯层上蒸镀过渡金属氧化物，所述过渡金属氧化物部分被所述石墨烯层中的石墨烯还原，以得到所述第二过渡金属氧化物层；

所述蒸镀的温度为250～350℃；

所述第一过渡金属氧化物层中的过渡金属元素与所述第二过渡金属氧化物层中的过渡金属元素相同，所述第二过渡金属氧化物层中的部分过渡金属元素的价态低于所述第一过渡金属氧化物层中的过渡金属元素的价态。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在形成所述量子点发光层之后，形成所述第一过渡金属氧化物层之前，还包括：

在所述量子点发光层远离所述阴极的一侧形成空穴传输层。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蒸镀的速率为1～2nm/s。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蒸镀包括真空电流加热型蒸镀、真空电子束轰击加热型蒸镀和真空激光加热型蒸镀中的一种。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物层中的过渡金属元素与所述第二过渡金属氧化物层中的过渡金属元素相同，所述过渡金属元素为第五周期副族金属元素。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述石墨烯层中的石墨烯选自纯石墨烯、改性后富含羧基官能团的石墨烯、改性后富含羟基官能团的石墨烯和改性后富含磺酸基官能团的石墨烯中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物层的厚度为10～20nm；和/或

所述第二过渡金属氧化物层的厚度为2～8nm；和/或

所述石墨烯层的厚度为2～5nm。

8.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管采用权利要求1～7任一项所述的制备方法制备得到，所述量子点发光二极管包括：

依次层叠设置的阴极、量子点发光层、阳极；

设置在所述量子点发光层和所述阳极之间的叠层；

其中，所述叠层包括：依次层叠设置的第一过渡金属氧化物层、石墨烯层和第二过渡金属氧化物层，所述第二过渡金属氧化物层靠近所述阳极的一侧设置；

所述第一过渡金属氧化物层中的过渡金属元素与所述第二过渡金属氧化物层中的过渡金属元素相同，所述第二过渡金属氧化物层中的部分过渡金属元素的价态低于所述第一过渡金属氧化物层中的过渡金属元素的价态。

9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括：

空穴传输层，所述叠层设置在所述空穴传输层与阳极之间。

10.根据权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物层的厚度为10～20nm；和/或

所述第二过渡金属氧化物层的厚度为2～8nm；和/或

所述石墨烯层的厚度为2～5nm。