[发明专利]声波器件的制作方法及声波器件

权利要求书

1.一种声波器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底的第一表面形成第一谐振结构；

在所述衬底的第二表面形成第二谐振结构；其中，所述第二表面与所述第一表面为相反面，所述第一谐振结构和所述第二谐振结构均包括体声波谐振结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成所述第一谐振结构和所述第二谐振结构的连接结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一谐振结构和所述第二谐振结构的连接结构，包括：

在形成所述第一谐振结构之后，从所述第二表面形成贯穿所述衬底的第一通孔；

在所述第一通孔中形成贯穿所述衬底的导电柱；其中，所述第二谐振结构通过所述导电柱与所述第一谐振结构连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底的第一表面形成第一谐振结构，包括：

在所述第一表面依次形成所述第一谐振结构的第一反射结构、覆盖所述第一反射结构的第一电极层、第一压电层和第二电极层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一表面依次形成所述第一谐振结构的第一反射结构、覆盖所述第一反射结构的第一电极层、第一压电层和第二电极层，包括：

在所述第一表面形成交替层叠设置的第一介质层和第二介质层，以形成所述第一反射结构；其中，所述第一介质层的声阻抗和所述第二介质层的声阻抗不同；

形成覆盖所述交替层叠设置的第一介质层和第二介质层的所述第一电极层；

形成覆盖所述第一电极层的所述第一压电层；

形成覆盖所述第一压电层的第二电极层。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一表面依次形成所述第一谐振结构的第一反射结构、覆盖所述第一反射结构的第一电极层、第一压电层和第二电极层，包括：

在所述第一表面形成第一牺牲层；

形成覆盖所述第一牺牲层的所述第一电极层；

形成覆盖所述第一电极层的所述第一压电层；

形成覆盖所述第一压电层的所述第二电极层；

去除所述第一牺牲层，基于所述第一牺牲层的形貌在所述第一电极层和所述第一表面之间形成第一空腔，以形成所述第一反射结构。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一表面依次形成所述第一谐振结构的第一反射结构、覆盖所述第一反射结构的第一电极层、第一压电层和第二电极层，包括：

刻蚀所述第一表面，以在所述第一表面形成凹槽；

形成填充所述凹槽的第二牺牲层；

形成覆盖所述第二牺牲层的所述第一电极层；

形成覆盖所述第一电极层的所述第一压电层；

形成覆盖所述第一压电层的所述第二电极层；

去除所述第二牺牲层，基于所述第二牺牲层的形貌在所述第一电极层和所述第一表面之间形成第二空腔，以形成所述第一反射结构。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述衬底的厚度从第一厚度减小至第二厚度；

在所述衬底厚度为所述第二厚度时，在所述衬底的第二表面安装支撑体。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成覆盖所述第一反射结构、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层的重叠区域的第一保护结构；其中，所述第一保护结构的中间区域与所述第二电极层之间存在第一空隙，所述第一保护结构的边缘区域与所述第二电极层接触。