[发明专利]一种电流源电路和一种控制系统有效
申请号: | 201911418832.4 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113126691B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 裘伟光;刘志 | 申请(专利权)人: | 苏州福瑞思信息科技有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 215008 江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 电路 控制系统 | ||
1.一种电流源电路,其特征在于,所述电流源电路用于控制半桥驱动电路的输出电流,所述半桥驱动电路包括所述电流源电路,所述电流源电路包括:参考电流模块、脉宽调制模块以及镜像电流模块;
所述参考电流模块与所述脉宽调制模块和所述镜像电流模块分别电连接,用于为所述半桥驱动电路的输出电流提供参考电流,所述参考电流模块包括:工作电源、第一PMOS管以及参考电流输入端;所述工作电源与所述第一PMOS管的源极、所述脉宽调制模块以及所述镜像电流模块分别电连接,用于为所述电流源电路提供工作电压;所述第一PMOS管的栅极与所述参考电流输入端和所述脉宽调制模块分别电连接;所述第一PMOS管的源极与所述工作电源电连接;所述第一PMOS管的漏极与所述参考电流输入端电连接;所述参考电流输入端与所述第一PMOS管的栅极、漏极分别电连接,用于为所述半桥驱动电路的输出电流提供参考电流;
所述脉宽调制模块与所述参考电流模块和所述镜像电流模块分别电连接,用于根据脉宽调制信号,控制所述半桥驱动电路的输出电流;
所述镜像电流模块与所述参考电流模块和所述脉宽调制模块分别电连接,用于根据所述参考电流和所述脉宽调制信号,产生所述半桥驱动电路的输出电流,且所述半桥驱动电路的输出电流随着所述脉宽调制信号的占空比的变化而变化。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述脉宽调制模块包括:
脉宽调制信号输入端、第二PMOS管、第三PMOS管以及反相器;
所述脉宽调制信号输入端与所述第二PMOS管的栅极和所述反相器的输入端分别电连接,用于向所述第二PMOS管和所述反相器输入所述脉宽调制信号;
所述第二PMOS管的栅极与所述脉宽调制信号输入端和所述反相器的输入端分别电连接;
所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的栅极和所述参考电流输入端分别电连接;
所述第二PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极和所述镜像电流模块分别电连接;
所述第三PMOS管的栅极与所述反相器的输出端电连接;
所述第三PMOS管的源极与所述工作电源和所述镜像电流模块分别电连接;
所述第三PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极和所述镜像电流模块分别电连接;
所述反相器的输入端与所述脉宽调制信号输入端和所述第二PMOS管的栅极分别电连接;
所述反相器的输出端与所述第三PMOS管的栅极电连接,用于对所述脉宽调制信号取反,以控制所述第三PMOS管的通断状态;
其中,通过所述脉宽调制信号控制所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的通断状态,以控制所述半桥驱动电路的输出电流。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述镜像电流模块包括:
第四PMOS管和控制电流输出端;
所述第四PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极分别电连接;
所述第四PMOS管的源极与所述工作电源和所述第三PMOS管的源极分别电连接;
所述第四PMOS管的漏极与所述控制电流输出端电连接,所述第四PMOS管用于根据所述参考电流和所述脉宽调制信号,产生所述半桥驱动电路的输出电流。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,当所述脉宽调制信号为低电平时,所述第二PMOS管导通且所述第三PMOS管关断,所述第一PMOS管与所述第四PMOS管构成电流镜,所述半桥驱动电路的输出电流的大小是根据所述参考电流的大小确定的;
当所述脉宽调制信号为高电平时,所述第三PMOS管导通且所述第二PMOS管和所述第四PMOS管均关断,所述半桥驱动电路的输出电流的大小为0。
5.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第四PMOS管的宽长比为所述第二PMOS管的整数倍。
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