[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；

压电层，设置在底电极与顶电极之间，

其中：

所述谐振器还包括设置在压电层的顶面的下方与基底的顶面之间的至少一个下凸起结构，所述至少一个下凸起结构包括第一凸起结构；

顶电极具有桥翼结构，且桥翼结构下侧设置有第二凸起结构，第二凸起结构的外侧与压电层顶面之间具有间隙，且第二凸起结构的内侧延伸到压电层的顶面；

在谐振器的厚度方向上的投影中，第一凸起结构与第二凸起结构之间在谐振器的有效区域内存在重合部分。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述第一凸起结构的厚度小于所述第二凸起结构的厚度。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述第一凸起结构的厚度在的范围内。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

所述第一凸起结构的厚度在的范围内。

5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

第二凸起结构的材料选自钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、锇、铬或以上金属的复合或其合金，或者不导电固态介质材料；和/或

第一凸起结构的材料选自钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、锇、铬或以上金属的复合或其合金，或者空气或者不导电固态介质材料。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中：

所述第二凸起结构的内侧与所述第一凸起结构的内侧在谐振器的横向方向上彼此错开一个距离d1；和/或

所述第一凸起结构的内侧与所述第二凸起结构下方的间隙的内侧在谐振器的横向方向上彼此错开一个距离d2。

7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

距离d1在0.2-10μm的范围内；和/或

距离d2在0.2-10μm的范围内。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：

所述第一凸起结构位于底电极与基底之间；或

所述第一凸起结构位于底电极与压电层之间；或

所述第一凸起结构位于压电层中。

9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：

所述第一凸起结构的上侧设置有种子层，或者下侧设置有种子层，或者上侧和下侧设置有种子层。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：

所述第一凸起结构位于底电极上侧且构成底电极的一部分。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器，其中：

所述至少一个下凸起结构还包括第三凸起结构，所述第三凸起结构与所述第一凸起结构在谐振器的厚度方向上彼此间隔开，且在谐振器的厚度方向上的投影中，第二凸起结构、第一凸起结构和第三凸起结构的投影中在谐振器的有效区域内存在重合部分。

12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：

所述第二凸起结构的起点、所述第一凸起结构的起点、所述第三凸起结构的起点和所述第二凸起结构下方的间隙的起点中的至少两个起点在谐振器的厚度方向上不重合。

13.一种体声波谐振器的制造方法，所述谐振器包括基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间，所述方法包括步骤：

在压电层的顶面的下方与基底的顶面之间设置第一凸起结构；

在顶电极形成桥翼结构，所述桥翼结构的下侧设置有第二凸起结构，第二凸起结构的外侧与压电层的顶面之间存在间隙，且第二凸起结构的内侧延伸到压电层的顶面，

其中：

在谐振器的厚度方向上的投影中，第二凸起结构与第一凸起结构之间在谐振器的有效区域内存在重合部分。