[发明专利]体声波谐振器组、滤波器、电子设备、机电耦合系数调整方法有效
申请号: | 201911419061.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111262548B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 郝龙;庞慰;徐洋;张巍;杨清瑞;张孟伦 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/15 | 分类号: | H03H9/15;H03H9/17;H03H9/13 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300462 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振器 滤波器 电子设备 机电 耦合 系数 调整 方法 | ||
1.一种体声波谐振器组件,包括设置在同一基底上的至少两个体声波谐振器,每一个谐振器包括:声学镜;底电极;顶电极;和压电层,所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域,
其中:
至少两个体声波谐振器包括第一谐振器与第二谐振器;
第一谐振器包括第一压电层,第二谐振器包括第二压电层,第一压电层与第二压电层同层布置,且第一压电层的厚度大于第二压电层的厚度;
所述第一压电层和第二压电层的材料相同;且
第二谐振器还设置有第二质量负载层。
2.根据权利要求1所述的组件,其中:
第一谐振器设置有第一质量负载层,且第一质量负载层的厚度小于第二质量负载层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的组件,其中:
第一谐振器的顶电极的非引脚端设置有第一檐结构,第一檐结构具有第一高度以及第一宽度,所述第一檐结构与压电层之间设置有空隙或不导电介质层;和/或
第二谐振器的顶电极的非引脚端设置有第二檐结构,第二檐结构具有第二高度以及第二宽度,所述第二檐结构与压电层之间设置有空隙或不导电介质层。
4.根据权利要求3所述的组件,其中:
第一高度不同于第二高度,和/或第一宽度不同于第二宽度。
5.根据权利要求4所述的组件,其中:
第一高度不同于第二高度,且两个高度在100Å到4000Å的范围内;和/或
第一宽度不同于第二宽度,且两个宽度在0.2μm到7μm的范围内。
6.根据权利要求1或2所述的组件,其中:
第一谐振器在其顶电极与压电层之间在有效区域的范围内设置有第一空隙结构;和/或
第二谐振器在其顶电极与压电层之间在有效区域的范围内设置有第二空隙结构。
7.根据权利要求1或2所述的组件,其中:
第一谐振器和/或第二谐振器在有效区域的边界附近还设置有凸起和/或凹陷结构。
8.一种机电耦合系数调整方法,包括步骤:
在同一基底上形成共用于第一谐振器和第二谐振器的压电层,第一谐振器和第二谐振器均为体声波谐振器,第一谐振器和第二谐振器的压电层的材料相同;
使得第二谐振器对应的第二压电层的厚度小于第一谐振器对应的第一压电层的厚度,以调整第一谐振器与第二谐振器的机电耦合系数之间的差值;和
调整第一谐振器与第二谐振器之间的频率差值,包括:在第二谐振器设置第二质量负载层,以调整第二谐振器的频率。
9.根据权利要求8所述的方法,其中:
调整第一谐振器与第二谐振器之间的频率差值包括步骤:在第一谐振器设置第一质量负载层,以调整第一谐振器的频率。
10.根据权利要求9所述的方法,其中:
调整第一谐振器与第二谐振器之间的频率差值包括步骤:调整第二谐振器的频率与第一谐振器的频率中的至少一个使得两者相同或第二谐振器的频率与第一谐振器的频率差值为预定值。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的方法,其中:
使得第二谐振器对应的第二压电层的厚度小于第一谐振器对应的第一压电层的厚度的步骤包括:
在共用于第一谐振器和第二谐振器的压电层上沉积阻挡层;
从第二谐振器对应的压电层上移除阻挡层;
同时减薄第一谐振器上的阻挡层以及第二谐振器对应的压电层,直至第二谐振器对应的压电层的厚度减小而成为具有预定厚度的第二压电层。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括步骤:
从第一谐振器的压电层上移除剩余的阻挡层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺思(天津)微系统有限责任公司,未经诺思(天津)微系统有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911419061.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。