[发明专利]一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜有效
| 申请号： | 201911420173.8 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111132533B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 叶萃;殷宏宇;潘军;张旺;彭永武 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;B22F1/00 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;俞慧 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mxene 纳米 复合 电磁 屏蔽 | ||
1.一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述复合电磁屏蔽膜由MXene、银纳米线和粘结剂制成；其中，MXene和银纳米线的质量比为0.05-20，粘结剂的质量用量为MXene和银纳米线总质量用量的0.001-10%；所述粘结剂为海藻酸钠、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、壳聚糖、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基纤维素钠中的一种或几种的混合；
所述MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜通过如下方法制备：将银纳米线溶液与粘结剂充分混合后得到混合液1，混合液1再与MXene溶液充分混合，得到混合液2；将混合液2抽滤成膜，即得到MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜。
2.如权利要求1所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：MXene和银纳米线的质量比为0.1-5。
3.如权利要求1所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：MXene和银纳米线的质量比为0.33-3。
4.如权利要求1所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：MXene和银纳米线的质量比为0.33。
5.如权利要求1-4之一所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：粘结剂的质量用量为MXene和银纳米线总质量用量的1-10%。
6.如权利要求5所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：粘结剂的质量用量为MXene和银纳米线总质量用量的2-5%。
7.如权利要求1-4之一所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述MXene为片层状，直径200 nm-20μm，厚度为2 nm-30 nm；所述MXene溶液的溶剂为水、乙醇、甲醇、聚丙烯醇中的一种或几种的混合；所述MXene溶液的浓度为0.1-30 mg/mL。
8.如权利要求1-4之一所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述银纳米线直径为18-200 nm，长度为10-200 μm；所述银纳米线溶液的溶剂为水、乙醇、甲醇、聚丙烯醇中的一种或几种的混合，所述银纳米线溶液的浓度为0.1-25 mg/mL。
9.如权利要求7所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述MXene溶液和银纳米线溶液的溶剂均为水。
10.如权利要求8所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述MXene溶液和银纳米线溶液的溶剂均为水。
11.如权利要求1-4之一所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：制备混合液1和混合液2的过程中，采用磁力搅拌、机械搅拌或者机械振动来促进混合，处理时间不少于20 min，直至溶液混合均匀。
12.如权利要求1-4之一所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：抽滤使用的滤膜为纤维素滤膜、聚酰胺滤膜、聚四氟乙烯滤膜、聚偏氟乙烯滤膜中的一种，孔径为0.02-10 μm。
13.如权利要求1-4之一所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述电磁屏蔽膜的厚度为500 nm-1 mm。
14.如权利要求1-4之一所述的MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，其特征在于：所述电磁屏蔽膜的厚度为500 nm-40 μm。
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