[发明专利]超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法在审
申请号: | 201911420219.6 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111128761A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 田爱民;赵鹤然 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 于晓波 |
地址: | 110032 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 超大 尺寸 集成电路 合金 密封 过程 中的 空洞 控制 方法 | ||
1.一种超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:该方法是在将盖板、焊料环和管壳进行装配和密封过程中进行空洞控制,其中管壳上与焊料环接触的区域为管壳密封区;该方法包括如下步骤:
(1)获取管壳密封区尺寸;
(2)按比例关系设计盖板和焊料环尺寸;
(3)将设计好的焊料环点焊固定在盖板上,并将盖板置于管壳密封区上形成装配体;
(4)将所述装配体用压力源固定后,放入低温烧结炉中进行烧结处理,形成密封结构。
2.根据权利要求1所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:步骤(1)中,所述管壳密封区表面依次镀有镍层和金层,金在表层,镍层厚度1.3-8.9um,金层厚度1.3-5.7μm。
3.根据权利要求1所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:所述盖板为圆角矩形板状结构,盖板的外边缘尺寸与焊料环的外环尺寸完全一致。
4.根据权利要求1所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:所述盖板为4J42合金或4J29合金,盖板表面依次覆镀镍和金层,盖板厚度0.38mm;所述的焊料环为AuSn合金,AuSn合金中Au含量为80wt.%,Sn含量为20wt.%;焊料环厚度50μm。
5.根据权利要求3所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:步骤(4)中,所述压力源采用不锈钢弹簧夹,共4只,每只弹簧夹向盖板施加的压力值均为2.0磅,施力位置为盖板四角位置。
6.根据权利要求1所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:步骤(1)中,所述管壳密封区为环形结构,外环与内环均为圆角矩形,管壳密封区各部分尺寸定义如下:
密封区外环长度=A;
密封区内环长度=B;
密封区外环圆角半径=C;
密封区内环圆角半径=D。
7.根据权利要求6所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:所述焊料环为环状结构,外环与内环都为圆角矩形,该焊料环的各部分尺寸定义如下:
焊料环外环长度=A’;
焊料环内环长度=B’;
焊料环外环圆角半径=C’;
焊料环内环圆角半径=D’。
8.根据权利要求7所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:所述焊料环的尺寸与所述管壳密封区尺寸的比例关系如公式(1):
公式(1)中:λ+ε+η=100%,且ε=2η,λ∈(63%,67%)。
9.根据权利要求1所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:所述烧结处理过程中,低温炉内充入纯度大于99.999%的高纯氮气,烧结温度333±5℃。
10.根据权利要求1所述的超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法,其特征在于:该密封方法将密封区周长大于90mm的超大尺寸集成电路空洞检验合格率提升到95%以上,且空洞检查标准为空洞不连续要小于设计宽度的25%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所,未经中国电子科技集团公司第四十七研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911420219.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种园林机械座椅弹簧手柄及其成形工艺
- 下一篇:一种丙烯酸树脂组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造