[发明专利]一种双芯片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种双芯片结构的制造方法，其包括以下步骤：

(1)提供第一芯片，在所述第一芯片的背面形成阵列排布的多个盲孔，且所述多个盲孔中的至少一些盲孔的底部具有焊料层；

(2)提供第二芯片，在所述第二芯片的背面形成阵列排布的多个凸柱，且所述多个凸柱与所述多个盲孔对应排布；

(3)将所述多个凸柱的至少一些凸柱插入所述至少一些盲孔中，并进行回流，使得所述焊料层与所述至少一些凸柱焊接。

2.根据权利要求1所述的双芯片结构的制造方法，其特征在于：在步骤(1)中，还包括在所述第一芯片中形成第一通孔，且所述第一通孔与其中一个盲孔的焊料层物理接触；在步骤(2)中，还包括在第二芯片中形成第二通孔和第三通孔，且所述第二通孔与其中一个凸柱电连接，所述第三通孔与另一个凸柱电连接。

3.根据权利要求2所述的双芯片结构的制造方法，其特征在于：在步骤(3)中，将所述至少一些凸柱插入所述至少一些盲孔中时，所述第一芯片和第二芯片在横向上错位，具有不重叠部分，且所述另一个凸柱位于所述不重叠部分；并且进行回流之后，所述第一芯片与第二芯片通过所述第一通孔、第二通孔和介于第一通孔与第二通孔之间的焊料层传输电信号。

4.根据权利要求3所述的双芯片结构的制造方法，其特征在于：还包括步骤(4)，利用树脂层密封所述第一芯片和第二芯片，其中所述树脂层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第一芯片的正面齐平，所述第二表面与所述第二芯片的正面齐平。

5.根据权利要求4所述的双芯片结构的制造方法，其特征在于：还包括步骤(5)，在所述树脂层内形成第四通孔，所述第四通孔与所述另一个凸柱电连接。

6.根据权利要求5所述的双芯片结构的制造方法，其特征在于：还包括步骤(6)，在所述第一表面上形成第一布线层，所述第一布线层电连接所述第一芯片和第四通孔；在所述第二表面上形成第二布线层，所述第二布线层电连接所述第二芯片和所述第三通孔。

7.根据权利要求6所述的双芯片结构的制造方法，其特征在于：还包括步骤(7)，在所述第一布线层上形成第一焊球，在所述第二布线层上形成第二焊球。

8.根据权利要求1所述的双芯片结构的制造方法，其特征在于：在步骤(1)中，形成多个盲孔的具体方法为激光钻孔、湿法刻蚀或干法刻蚀，优选为激光钻孔。

9.根据权利要求1所述的双芯片结构的制造方法，其特征在于：在步骤(2)中，形成多个凸柱的具体步骤为在第二芯片背面形成多个开口，并填充导电材料形成导电通孔，然后进行第二芯片背面的选择性刻蚀，使得所述导电通孔从所述第二芯片的背面凸出，形成多个凸柱。

10.一种双芯片结构，其包括：

第一芯片，其背面形成有阵列排布的多个盲孔，所述多个盲孔中的至少一些盲孔的底部具有焊料层；在所述第一芯片中形成有第一通孔，且所述第一通孔与其中一个盲孔的焊料层物理接触；

第二芯片，其背面形成有阵列排布的多个凸柱，且所述多个凸柱与所述多个盲孔对应排布；在第二芯片中形成有第二通孔，且所述第二通孔与其中一个凸柱电连接；

其特征在于，所述多个凸柱的至少一些凸柱插入所述至少一些盲孔中，并且所述焊料层使得所述至少一些凸柱焊接于所述至少一些盲孔的底部，所述第一芯片和第二芯片在横向上错位，具有不重叠部分，且所述第一芯片与第二芯片通过所述第一通孔、第二通孔和介于第一通孔与第二通孔之间的焊料层传输电信号。