[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911421038.5 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113130812A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 马兴远;徐威;范嘉城 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘芙蓉
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,所述量子点发光二极管包括:底电极、量子点发光层、顶电极及顶电极增透层,所述量子点发光层位于所述底电极与所述顶电极之间,所述顶电极增透层位于所述顶电极上方并与所述顶电极贴合设置;所述顶电极为金属电极,所述顶电极增透层的材料包括磷钼酸。本发明以具有良好导电性的金属电极为顶电极,并在顶电极上设置一具有高折射率的含磷钼酸的顶电极增透层构筑得到的QLED,其具有的金属电极/含磷钼酸的顶电极增透层的电极结构保证了电极的导电性的同时,提高了电极的透光率;另外,含磷钼酸的顶电极增透层的存在,还起到隔离的作用,则提高了QLED器件的整体稳定性。

技术领域

本发明涉及透明显示器件的技术领域,尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

基于量子点的发光具有高亮度、高色域、低启动电压、高稳定性等特点,使其成为了下一代显示技术的最佳候选发光材料。量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,QLED)器件可以通过旋涂法制备,成本低廉,而且制得的器件很薄,可以做成柔性显示器件,甚至是柔性且透明的器件,具有广泛的应用前景。

目前的QLED器件通常设置为多层的叠层结构,如由阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层(如ZnO纳米颗粒)、金属阴极构成:其中,在底发射器件中,阳极通常使用透明材料(如氧化铟锡,Indium tin oxide,ITO)作透明电极,阴极常采用金属电极(如Al);在顶发射器件中,阳极通常采用透明金属氧化物与金属形成三明治结构(如ITO/Ag/ITO)半透明电极,同时采用减薄金属电极(如Al)的厚度形成半透明的阴极。

若是阳极使用ITO,同时减薄金属阴极的厚度,可以构成半透明的发光器件。但是,发明人研究发现,仅靠单纯地减薄电极厚度并不能获得很高透明度的器件,且随着电极厚度的过分减薄会带来电极的比表面积过大,导电性下降,稳定性下降等问题。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法,旨在解决现有技术获得的半透明发光器件的存在电极的比表面积过大、导电性下降、稳定性下降的问题。

本发明的技术方案如下:

一种量子点发光二极管,其中,包括:底电极、量子点发光层、顶电极及顶电极增透层,所述量子点发光层位于所述底电极与所述顶电极之间,所述顶电极增透层位于所述顶电极上方并与所述顶电极贴合设置;所述顶电极为金属电极,所述顶电极增透层的材料包括磷钼酸。

一种量子点发光二极管的制备方法,其中,包括步骤:

提供底电极;

在所述底电极上制备量子点发光层;

在所述量子点发光层上制备顶电极;

在所述顶电极上制备顶电极增透层;

其中,所述底电极为透明电极,所述顶电极为金属电极,所述顶电极增透层的材料包括磷钼酸。

有益效果:本发明通过采用以具有良好导电性的金属电极为顶电极,并在顶电极上设置一具有高折射率的含磷钼酸的顶电极增透层构筑得到的QLED,其具有的金属电极/含磷钼酸的顶电极增透层的顶部电极结构在保证了电极的导电性的同时,提高了电极的透光率;另外,含磷钼酸的顶电极增透层的存在,还起到隔离的作用,则提高了QLED器件的整体稳定性。

附图说明

图1为本发明具体实施方式中,基于PMA构筑的QLED的光路图。

图2为本发明具体实施方式中,一种含有PMA增透层的正型QLED器件的结构示意图。

具体实施方式

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