[发明专利]一种霍尔传感器以及电子设备

说明书

本发明提供的一种霍尔传感器以及电子设备，霍尔传感器包括框架引脚和位于所述框架引脚上方的霍尔元件；所述霍尔元件包括衬底、成型于所述衬底的感磁部以及与所述感磁部电连接的电极；所述电极朝向所述框架引脚并与所述框架引脚连接。如此设计，霍尔传感器的封装厚度不受金线线弧高度的限制，封装厚度能够大幅降低，从而能够将霍尔传感器应用于对厚度要求很高的应用场景，从而得到超薄的系统级产品；另一方面，通过降低霍尔传感器的封装厚度，霍尔传感器安装所需要的空间变小，霍尔传感器两侧的磁性材料可以靠的更近，霍尔传感器本身感受到的磁场强度更高，输出灵敏度更高。

技术领域

本发明涉及霍尔元件技术领域，具体涉及一种霍尔传感器以及电子设备。

背景技术

当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应。霍尔传感器作为根据霍尔效应制作的一种磁感应元件，广泛应用于电流传感，自动光圈，手机镜头的光学防抖等领域。随着科技的发展，人们对电子元器件的尺寸要求越来越高，从而能够得到更薄，更轻，更小的产品。从而要求霍尔元件的厚度需进一步降低。

现有技术中，公开号为CN105185900A的专利公开了一种霍尔传感器，其具备：GaAs霍尔元件，其具备GaAs衬底、设置在上述GaAs衬底上的感磁部、设置在上述GaAs衬底上的多个电极部、以及设置在上述GaAs衬底的与设置有上述多个电极部的面相反一侧的面侧的保护层；多个引线端子，其配置在上述GaAs霍尔元件的周围；导电性连接构件，即金属细线，其将上述多个电极部与上述多个引线端子分别电连接。

上述专利中，霍尔传感器的厚度取决于霍尔元件的厚度a，以及金属细线的线弧高度h，另外还有保护层厚度c，总厚度d≥a+h+c。如此会导致霍尔传感器的总厚度较厚，厚度缩减有限，无法提供一种接近晶圆级封装厚度的霍尔传感器。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中霍尔传感器的总厚度较厚，厚度缩减有限的缺陷，从而提供一种霍尔传感器以及电子设备。

本发明提供的一种霍尔传感器，包括框架引脚和位于所述框架引脚上方的霍尔元件；所述霍尔元件包括衬底、成型于所述衬底的感磁部以及与所述感磁部电连接的电极；所述电极朝向所述框架引脚并与所述框架引脚连接。

可选的，所述框架引脚与所述霍尔元件之间设置有导通所述电极与所述框架引脚的金属凸点。

可选的，所述电极设置有四个，两个所述电极为偏置电流的输入端，另外两个所述电极为霍尔电压的输出端。

可选的，所述霍尔元件为正方形结构，四个所述电极分布在所述霍尔元件朝向所述框架引脚的正方形端面的顶点位置。

可选的，所述框架引脚一侧设置有镀锡层，所述霍尔传感器还包括将所述框架引脚、所述金属凸点以及所述霍尔元件均塑封在内的塑封体。

可选的，所述霍尔元件的厚度a≥80um，所述框架引脚的厚度b≥10um，所述金属凸点的厚度f≥5um。

可选的，包括引线框架，所述引线框架包括所述框架引脚以及位于所述霍尔元件底部的基岛。

本发明同时提供了一种电子设备，包括上述任一项所述的霍尔传感器。

本发明技术方案，具有如下优点：

本发明提供的一种霍尔传感器，如此设计，霍尔传感器的封装厚度不受金线线弧高度的限制，封装厚度能够大幅降低，从而能够将霍尔传感器应用于对厚度要求很高的应用场景，从而得到超薄的系统级产品；另一方面，通过降低霍尔传感器的封装厚度，霍尔传感器安装所需要的空间变小，霍尔传感器两侧的磁性材料可以靠的更近，霍尔传感器本身感受到的磁场强度更高，输出灵敏度更高。

附图说明