[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底电极基板，在所述底电极基板的底电极表面形成第一纳米柱结构；

在所述第一纳米柱结构表面结合含有初始配体的量子点，提供目标配体与所述量子点表面的初始配体进行交换，制备得到结合有目标配体的量子点薄膜；

其中，量子点的直径标记为d，相邻的第一纳米柱之间的间距标记为l₁，第一纳米柱的高度标记为h，第一纳米柱的最大径向尺寸标记为s₁，相邻的三个所述第一纳米柱的共同外接圆的半径标记为r₁，

所述d、l₁满足：d≤l₁＜2d；或

所述d、l₁满足：l₁＜d，且所述r₁、d满足：d≤2r₁＜2d。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述l₁为2nm~20nm。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一纳米柱结构中，h、d满足：d≤h≤5d。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述h、d的关系满足：3d≤h≤4d。

5.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一纳米柱结构中，s₁、d满足：s₁≤d。

6.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一纳米柱结构的顶表面上，量子点的厚度为1d-2d。

7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供底电极基板，在所述底电极基板的底电极表面形成第一纳米柱结构；

在所述第一纳米柱结构表面制备第一功能层，且所述第一功能层具有与所述第一纳米柱结构对应的第二纳米柱结构；

在所述第二纳米柱结构表面结合含有初始配体的量子点，提供目标配体与所述量子点表面的初始配体进行交换，制备得到结合有目标配体的量子点薄膜；

其中，量子点的直径标记为d，相邻的第一纳米柱之间的间距标记为l₁，第一纳米柱的高度标记为h，第一纳米柱的最大径向尺寸标记为s₁，相邻的三个所述第一纳米柱的共同外接圆的半径标记为r₁，相邻的第二纳米柱之间的间距标记为l₂，第二纳米柱的最大径向尺寸标记为s₂，相邻的三个所述第二纳米柱的共同外接圆的半径标记为r₂，所述l₁、l₂满足：l₂＜l₁；所述s₁、s₂满足：s₁＜s₂；

所述d、l₁满足：d≤l₁＜2d；或

所述d、l₁满足：l₁＜d，且所述r₁、d满足：d≤2r₁＜2d。

8.如权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述d、l₂满足：d≤l₂＜2d，或

所述d、l₂满足：l₂＜d，且所述r₂、d满足：d≤2r₂＜2d。

9.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第二纳米柱结构的顶表面上，量子点的厚度为1d-2d；

所述第二纳米柱结构中，s₂、d满足：s₂≤d。