[发明专利]一种EEPROM的数据读/写方法

说明书

本发明公开了一种EEPROM的数据读/写方法，包括以下步骤：设定本次读/写操作所用时间；给定本次读/写操作的地址和数据剩余长度；判断数据剩余长度与固定读取长度或数据剩余长度与EEPORM芯片当前页的剩余长度的大小；若数据剩余长度大于EEPORM芯片当前页的剩余长度，则本次操作中可写的数据长度为EEPORM芯片当前页的剩余长度，否则可写的数据长度为数据剩余长度；该方法通过将待读/写数据拆分成多个数据包，在固定的时间片内按顺序分批读/写，可以实现大量数据的实时交互，不受时间和工况限制，可以按需随时读/写，且连续读/写EEPROM的过程中，不会打断其他代码连续运行。

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域，特别涉及一种EEPROM的数据读/写方法。

背景技术

EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器，其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程，现有的EEPROM的数据读写方法都是对于数据一次性的进行读写，期间是无法打断的，现有的EEPROM读/写操作一般在主控芯片上电初始化或下电前进行，由于EEPROM芯片本身特性，主控芯片向EEPROM芯片一次性读/写大量数据时，会引起读/写时间过长的问题。

发明内容

为了解决现有的EEPROM的数据读写时需要耗费大量时间无法打断的问题，本发明提供一种不受时间和工况限制，可以按需随时读写的方法。

为了实现上述目的，本发明提供的技术方案是：一种EEPROM的数据读/写方法，包括以下步骤：设定本次读/写操作所用时间；给定本次读/写操作的地址和数据剩余长度；判断数据剩余长度与固定读取长度或数据剩余长度与EEPORM芯片当前页的剩余长度的大小；若数据剩余长度大于固定读取长度，则本次操作中可读的数据长度为固定读取长度，否则可读的数据长度为数据剩余长度；若数据剩余长度大于EEPORM芯片当前页的剩余长度，则本次操作中可写的数据长度为EEPORM芯片当前页的剩余长度，否则可写的数据长度为数据剩余长度；进行本次读/写操作。

在上述数据读/写方法中，当本次操作为写操作时，在给定本次读/写操作的地址和数据剩余长度之前需要判断该次写操作是否是第一次，若为第一次操作，则给定EEPROM芯片写操作的首地址和待写入数据的总长度，否则需要判断上次写操作是否完成；若上次写操作没有完成，则继续重新判断是否是第一次进行写操作并计数，当计数达到阈值后终止写操作，若上次写操作已经完成，则继续接下来的步骤。

在上述数据读/写方法中，作为优选的技术方案，所述固定读取长度为EEPORM芯片每页的数据长度。

进一步的，所述当前页的剩余长度为EEPROM芯片当前页还可以储存的数据量。

作为优选的技术方案，每次读/写操作所用时间为1-5ms。

在上述技术方案中，当本次读/写操作结束后重复进行上述步骤直至数据剩余长度为0。

在上述技术方案的基础上，进一步的，当数据剩余长度为0时，所有标志和计数器复位。

本发明相对于现有技术的有益效果是：该方法通过将待读/写数据拆分成多个数据包，在固定的时间片内按顺序分批读/写，可以实现大量数据的实时交互，不受时间和工况限制，可以按需随时读/写，且连续读/写EEPROM的过程中，不会打断其他代码连续运行。

附图说明

图1是写入数据至EEPROM中的流程图；

图2是读取EEPROM中数据的流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。