[发明专利]显示面板结构及其制作方法、以及显示面板在审
申请号: | 201911425790.7 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111146260A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 陈亚文;史文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 宋朝政 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 结构 及其 制作方法 以及 | ||
本发明公开一种显示面板结构及其制作方法、以及显示面板,其中,显示面板结构包括阵列基板和第一发光单元,所述第一发光单元包括依次堆叠在所述阵列基板上的第一像素电极、第一底部发光层、第一中部电极、顶部发光层和顶部电极,其中:所述第一像素电极与所述顶部电极电性连接,所述第一中部电极与所述阵列基板的阵列驱动单元电性连接;或者所述第一像素电极和所述顶部电极均与所述阵列基板的阵列驱动单元电性连接。本发明提供的技术方案中,通过所述第一底部发光层和所述顶部发光层叠加构成所述显示面板的第一发光单元,从而有效提升显示面板的第一发光单元的效率和寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板结构及其制作方法、以及显示面板。
背景技术
在信息社会的当代,作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强,为了在未来占据主导地位,显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
电致发光二极管由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点,是目前显示器件研究的主要方向。采用溶液加工制作有机电致发光二极管(OLED)及量子点发光二极管(QLED)显示器,由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,印刷技术被认为是实现低成本和大面积全彩显示的最有效途径。采用印刷的方式制备的OLED以及QLED器件,不需要制作精细掩膜,而且印刷工艺可节省材料,具有成本低廉的优势,是未来显示的趋势。
但是,采用印刷工艺制备的发光器件,其性能诸如寿命、稳定性等还有待提高,特别是蓝光QLED的效率比较低、寿命比较差。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种显示面板结构及其制作方法、以及显示面板,旨在提高现有的显示面板中发光单元的效率和寿命。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示面板结构,包括阵列基板和第一发光单元,所述第一发光单元包括依次堆叠在所述阵列基板上的第一像素电极、第一底部发光层、第一中部电极、顶部发光层和顶部电极,其中:
所述第一像素电极与所述顶部电极电性连接,所述第一中部电极与所述阵列基板的阵列驱动单元电性连接;或者,
所述第一像素电极和所述顶部电极均与所述阵列基板的阵列驱动单元电性连接。
可选的,所述显示面板结构还包括第二发光单元,所述第二发光单元包括依次堆叠在所述阵列基板上的第二像素电极、第二底部发光层和第二中部电极,所述第二像素电极与所述阵列基板的阵列驱动单元电性连接。
可选的,所述阵列基板上且位于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间间隔设有像素隔离墙,所述第一底部发光层、所述像素隔离墙和所述第二底部发光层上覆设有中部电极层,所述像素隔离墙上设有电极隔离体,以将所述中部电极层隔断形成所述第一中部电极和所述第二中部电极;
所述中部电极层上依次设有所述顶部发光层和所述顶部电极,所述第一像素电极与所述顶部电极电性连接,所述第一中部电极与所述阵列基板的阵列驱动单元电性连接。
可选的,所述电极隔离体为绝缘材料制成;和/或,
所述电极隔离体的截面形状在远离所述阵列基板的方向上呈倒梯形设置;和/或,
所述电极隔离体的厚度为200~500nm;和/或,
所述电极隔离体的厚度大于所述中部电极层的厚度。
可选的,所述显示面板结构还包括第三发光单元,所述第三发光单元包括依次堆叠在所述阵列基板上的第三像素电极和第三底部发光层;
所述第二中部电极呈覆盖所述第三底部发光层设置,所述第三像素电极与所述阵列基板的阵列驱动单元电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的