[发明专利]一种静电夹盘的陈化处理方法

说明书

本申请实施例公开了一种静电夹盘的陈化处理方法，该处理方法先对放置在静电夹盘表面的晶圆进行预设等离子体处理，使得晶圆在第一状态和第二状态之间切换，以利用晶圆在不同状态之间的体积变化，对静电夹盘的表面进行研磨，以降低静电夹盘表面的毛糙度，如果在对晶圆进行预设等离子体处理一段时间后，晶圆的温度不符合第一条件，则增大静电夹盘与晶圆之间的作用力，继续对晶圆进行预设等离子体处理，从而提高晶圆对静电夹盘的研磨效果，以便于降低静电夹盘表面的毛糙度，进而在后续利用该静电夹盘对量产的晶圆进行等离子体处理时，可以提高静电夹盘和晶圆之间的不同区域的热传导的均匀度，以提高晶圆的成品良率。

技术领域

本申请涉及等离子体处理技术领域，尤其涉及一种静电夹盘的陈化处理(即seasoning)方法。

背景技术

随着等离子体技术的不断发展，使得应用该技术的等离子体处理设备也不断的改进，现已研发出来几种等离子体处理设备，如电容耦合等离子体(即Capacitively CoupledPlasma，CCP)处理设备、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)处理设备以及电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron Resonance，ECR)处理设备。但是，现有等离子体处理设备在对晶圆进行等离子体处理时，有时会出现处理完成后的晶圆成品的关键尺寸(即critical dimension)不符合目标需求的现象，影响晶圆成品的良率。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种静电夹盘的陈化处理方法，以降低对晶圆进行等离子体处理时，出现处理完成后的晶圆成品的关键尺寸不符合目标需求的现象的概率，提高晶圆成品的良率。

为解决上述问题，实施例提供了如下技术方案：

一种静电夹盘的陈化处理方法，应用于等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：等离子体处理腔，位于所述等离子体处理腔内的基座以及置于所述基座表面的静电夹盘，该方法包括：

步骤1：将晶圆置于所述静电夹盘的表面；

步骤2：对位于所述静电夹盘表面的晶圆进行预设等离子体处理，使得位于所述静电夹盘表面的晶圆在第一状态和第二状态之间切换，并获取位于所述静电夹盘表面的晶圆的温度，其中，所述晶圆在所述第一状态下的体积与在所述第二状态下的体积不同；

步骤3：如果位于所述静电夹盘表面的晶圆的温度不符合第一条件，则增大所述静电夹盘与位于所述静电夹盘表面的晶圆之间的作用力，对位于所述静电夹盘表面的晶圆继续进行所述预设等离子体处理，使得位于所述静电夹盘表面的晶圆在所述第一状态和所述第二状态之间切换。

可选的，所述第一条件为对位于所述静电夹盘表面的晶圆进行所述预设等离子体处理之后的温度值比对位于所述静电夹盘表面的晶圆进行所述预设等离子体处理之前的温度值低至少第一温度，所述第一温度为0.3℃。

可选的，所述增大所述静电夹盘与位于所述静电夹盘表面的晶圆之间的作用力包括：

增加所述静电夹盘上施加的偏置电压，以增加所述静电夹盘对位于所述静电夹盘表面的晶圆的吸附力。

可选的，所述增大所述静电夹盘与位于所述静电夹盘表面的晶圆之间的作用力包括：

增加位于所述静电夹盘表面的晶圆的鞘层电压，以增加所述静电夹盘与位于所述静电夹盘表面的晶圆之间的作用力。

可选的，所述增大所述静电夹盘与位于所述静电夹盘表面的晶圆之间的作用力包括：

改变对位于所述静电夹盘表面的晶圆进行等离子体处理过程中的等离子体能量，以增加位于所述静电夹盘表面的晶圆的鞘层电压。

可选的，所述增大所述静电夹盘与位于所述静电夹盘表面的晶圆之间的作用力包括：