[实用新型]一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板上方的触控电极线，位于所述触控电极线上方的触控电极，以及位于所述触控电极线与所述触控电极之间的第一绝缘层；其中，所述触控电极线具有凹槽部，所述第一绝缘层具有过孔，所述触控电极具有连接部，所述连接部通过所述过孔延伸至所述凹槽部内与所述触控电极线电连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述触控电极线下方的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有凹槽结构，所述凹槽结构的深度大于所述触控电极线的厚度；所述触控电极线的凹槽部位于所述凹槽结构内。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第二绝缘层与所述衬底基板之间的薄膜晶体管，所述第二绝缘层为平坦化层。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括位于所述触控电极线面向所述触控电极一侧的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层与所述触控电极之间的第二钝化层。

5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第一绝缘层与所述衬底基板之间的薄膜晶体管，所述触控电极线与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置，所述第二绝缘层为所述薄膜晶体管的源漏极与所述薄膜晶体管的栅极之间的层间绝缘层。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括位于所述触控电极线与所述触控电极之间依次叠层设置的第一钝化层、平坦化层和第二钝化层。

7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括具有多个独立的公共电极的公共电极层，所述公共电极复用为所述触控电极。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述公共电极层与所述触控电极线之间的像素电极，以及位于所述过孔内且与所述触控电极的连接部电连接的搭接部；所述搭接部与所述像素电极同层设置。

9.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层的材料包括SiO₂和SiN，所述层间绝缘层的厚度为200nm-700nm。

10.如权利要求3或6所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层的材料为有机绝缘材料，所述平坦化层的厚度为600nm-1800nm。

11.如权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的材料包括SiN，所述第一钝化层的厚度为100nm-400nm。

12.一种内嵌式触摸屏，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的内嵌式触摸屏。