[实用新型]具保护晶圆的真空吸附载具机构有效
申请号: | 201920010832.X | 申请日: | 2019-01-04 |
公开(公告)号: | CN209232748U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 陈石矶 | 申请(专利权)人: | 陈石矶 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 唐轶 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 载板 真空环路 空吸 承载 贯穿孔 载板上表面 大气压力 抽真空 密封塞 穿孔 晶片 密封 贯穿 配置 应用 | ||
1.一种具保护晶圆的真空吸附载具机构,用于承载一晶圆,其中该晶圆上已制成多个晶片;其特征在于,该具保护晶圆的真空吸附载具机构包括:
一载板,用于承载位于其上方的该晶圆;
至少一真空环路配置于该载板上,该真空环路为分布在该载板上表面的凹槽;该真空环路包括一贯穿孔,从该真空环路的底部贯穿到该载板的下方;
一密封塞,用于密封该贯穿孔的下方而使得气体无法流过该贯穿孔;
其中当该载板承载该晶圆时,该真空环路被抽真空,而应用大气压力差将该晶圆固定在该载板上,使得该载板可以载送该晶圆。
2.如权利要求1所述的具保护晶圆的真空吸附载具机构,其特征在于,还包括一缓冲板,该缓冲板为一片状的板状结构,其面积涵盖该载板的上方,该缓冲板上形成多个缓冲孔,该缓冲孔的下方开口与该载板的该真空环路相连通;作用时该缓冲板配置在该晶圆及该载板之间,而使得该缓冲板的多个缓冲孔其上方对准该晶圆的下表面,而该多个缓冲孔的下方则与该载板的该真空环路相连通;所以当该真空环路被抽真空时,该缓冲板的多个缓冲孔也同时被抽真空,而对该晶圆产生吸附的作用;其目的在于减少整体真空施加于该晶圆的作用力,以避免对该晶圆的破坏。
3.如权利要求1所述的具保护晶圆的真空吸附载具机构,其特征在于,该真空环路还包括多个同心的圆环状凹槽,及多个通过该圆环状凹槽的圆心而呈辐射状的直线状凹槽,这些直线状凹槽通过各该圆环状凹槽。
4.如权利要求3所述的具保护晶圆的真空吸附载具机构,其特征在于,该贯穿孔位在该圆环状凹槽的圆心处而贯穿该载板的下方。
5.一种具保护晶圆的真空吸附载具机构,用于承载一晶圆,其特征在于,该晶圆上已制成多个晶片;该具保护晶圆的真空吸附载具机构包括:
一载板,用于承载位于其上方的该晶圆;
至少一真空环路配置于该载板上,该真空环路为分布在该载板上表面的凹槽;该真空环路包括一贯穿孔,从该真空环路的底部贯穿到该载板的下方;
一密封塞,用于密封该贯穿孔的下方而使得气体无法流过该贯穿孔;
一抽气底盘,其上方包括一抽气槽,该抽气底盘的上方用于贴合于该载板的下方,而使得该抽气槽连通于该载板的贯穿孔;其中该抽气底盘的一侧包括一抽气管道连通该抽气槽;
一活塞以可上下移动的方式安装在该抽气底盘的该抽气槽内,该活塞上端用于置放该密封塞;
当晶圆置于该载板的上方且该抽气底盘结合于该载板的下方时,除了该抽气管道外,整体呈气密结构;
其中当该载板承载该晶圆时,该真空环路被抽真空,而应用大气压力差将该晶圆固定在该载板上,使得该载板可以载送该晶圆。
6.如权利要求5所述的具保护晶圆的真空吸附载具机构,其特征在于,还包括一缓冲板,该缓冲板为一片状的板状结构,其面积涵盖该载板的上方,该缓冲板上形成多个缓冲孔,该缓冲孔的下方开口与该载板的该真空环路相连通;作用时该缓冲板配置在该晶圆及该载板之间,而使得该缓冲板的多个缓冲孔其上方对准该晶圆的下表面,而该多个缓冲孔的下方则与该载板的该真空环路相连通;所以当该真空环路被抽真空时,该缓冲板的多个缓冲孔也同时被抽真空,而对该晶圆产生吸附的作用;其目的在于减少整体真空施加于该晶圆的作用力,以避免对该晶圆的破坏。
7.如权利要求5所述的具保护晶圆的真空吸附载具机构,其特征在于,该活塞中间形成一第一贯穿管道,该第一贯穿管道的外侧端用于连接外部的真空机构,而该第一贯穿管道的内侧端则在该活塞的上方形成开口;当欲将该密封塞塞入或移离该载板的该贯穿孔时,通过对该第一贯穿管道施以一更大的真空以使得该活塞吸附该密封塞而将该密封塞塞入或移离该贯穿孔。
8.如权利要求5所述的具保护晶圆的真空吸附载具机构,其特征在于,该抽气槽51为一上方呈开口状的凹槽结构,且该凹槽结构底部有一安装孔;该活塞贯穿该安装孔而可沿着该安装孔上下移动,且该活塞密封该安装孔而使得气体无法流过该安装孔;该活塞的上下两端形成扩大部位,以限制该活塞的移动距离;该活塞下方用于连接外侧的驱动机构以驱动该活塞上下移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造