[实用新型]一种硅同质结双面太阳电池有效

申请号：	201920012082.X	申请日：	2019-01-04
公开（公告）号：	CN209071339U	公开（公告）日：	2019-07-05
发明（设计）人：	王璞;黄跃龙;吴俊旻;俞健;陈涛;陈红元;王文贤;李君君	申请（专利权）人：	西南石油大学
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/068
代理公司：	成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264	代理人：	韩晓银
地址：	610500 四***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	透明导电氧化物层双面太阳电池本实用新型同质结过渡金属氧化物氮化硅钝化钝化层发射层背面电池叠层太阳能电池金属栅线电极三氧化二铝载流子收集背面钝化氮化硅层开路电压依次设置掺杂层常规的上表面下表面衬底磷源发电量保证
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【权利要求书】：

1.一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，包括从下到上依次设置的氮化硅钝化减发射层(102)、磷源掺杂层(101)、p型硅衬底(100)、过渡金属氧化物钝化层(103)、透明导电氧化物层(104)，所述氮化硅钝化减发射层(102)上表面、透明导电氧化物层(104)下表面均设置有金属栅线电极层(105)。

2.根据权利要求1所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述过渡金属氧化物钝化层(103)为背钝化氧化镍层。

3.根据权利要求2所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述过渡金属氧化物钝化层(103)与p型硅衬底(100)之间还设有背钝化氧化硅层(108)。

4.根据权利要求2或3所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述氮化硅钝化减发射层(102)上表面、透明导电氧化物层(104)下表面均设置有沉积掩膜保护层(106)，所述沉积掩膜保护层(106)上设有金属栅线电极层开口(107)。

5.根据权利要求4所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述p型硅衬底(100)为p型单晶硅衬底或p型多晶衬底，所述p型硅衬底(100)的厚度为50～200um。

6.根据权利要求1所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述氮化硅钝化减发射层(102)的厚度为20～80nm。

7.根据权利要求6所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述磷源掺杂层(101)的厚度为200～500nm。

8.根据权利要求2所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述背钝化氧化镍层的厚度为80～100nm。

9.根据权利要求7所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述透明导电氧化物层(104)的厚度为80～100nm。

10.根据权利要求9所述的一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，所述金属栅线电极层(105)的厚度为5～100um。

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