[实用新型]一种垂直结构LED芯片有效
| 申请号： | 201920017286.2 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN209282229U | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 颜才满;徐亮;李宗涛;丁鑫锐;郑洪仿;黄经发 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 衬底 刻蚀阻挡层 边缘键合 中心键合 电极层 外延层 凹部 凸部 垂直结构LED芯片 背面金属层 本实用新型 电流扩散层 依次设置 反射层 键合层 翘曲度 良率 芯片 贯穿 | ||
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。
2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述中心键合层的厚度等于边缘键合层的厚度。
3.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述中心键合层和边缘键合层的结构为Cr/Ti/Pt/Au、Cr/Ti/Pt/Sn或Au/Sn/Pt/Sn。
4.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述中心键合层和边缘键合层的厚度为0.4-4μm。
5.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述凸部的宽度为5-50μm。
6.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，背面金属层的结构为Cr/Pt/Au、Au/Pt/Au或Ni/Cr/Ti。
7.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，刻蚀阻挡层的结构为Cr/TiW或Cr/Pt/Au。
8.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，反射层由Ag或Al制成，厚度为100-700nm，反射率为80-98％。
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