[实用新型]阵列基板、反射式显示面板和显示装置有效
申请号: | 201920019387.3 | 申请日: | 2019-01-07 |
公开(公告)号: | CN209056488U | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 郑琪;白璐;华刚;袁洪亮;李鹏;吕晓辉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素电极 数据图形 衬底 薄膜晶体管 本实用新型 数据线 绝缘层 反射式显示面板 显示装置 像素单元 阵列基板 正投影 凹陷 栅线 交叉设置 交叠区域 交叠 源极 闪烁 | ||
本实用新型提供一种阵列基板,包括衬底,所述衬底上设置有像素电极、栅线、数据线和薄膜晶体管,所述数据线和所述栅线交叉设置,以限定出多个像素单元,所述像素电极和所述薄膜晶体管均与所述像素单元一一对应;所述像素电极与数据图形所在层之间设置有绝缘层,所述数据图形包括所述数据线和所述薄膜晶体管的源极,所述像素电极与所述数据图形的一部分交叠;所述绝缘层上设置有多个凹陷,所述凹陷在所述衬底上的正投影位于所述像素电极与所述数据图形的交叠区域在所述衬底上的正投影之外。本实用新型还提供一种反射式显示面板和显示装置。本实用新型能够减少显示时的闪烁不良。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、反射式显示面板和显示装置。
背景技术
在目前的反射式液晶显示产品中,为了增大视角,会在像素电极下方的绝缘层设置凸起和凹陷结构,以使像素电极表面形成凸起和凹陷,从而达到漫反射的效果。但这样一方面会导致绝缘层的凹陷处厚度过小,另一方面,由于工艺条件的限制,相邻像素之间所对应的绝缘层的凹陷厚度很难完全相同,从而容易导致同一像素相邻两帧之间和相邻像素之间的显示效果产生差异,进而产生闪烁现象。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种阵列基板、反射式显示面板和显示装置。
为了实现上述目的,本实用新型提供一种阵列基板,包括衬底,所述衬底上设置有像素电极、栅线、数据线和薄膜晶体管,所述数据线和所述栅线交叉设置,以限定出多个像素单元,所述像素电极和所述薄膜晶体均与所述像素单元一一对应;所述像素电极与数据图形所在层之间设置有绝缘层,所述数据图形包括所述数据线和所述薄膜晶体管的源极,所述像素电极与所述数据图形的一部分交叠;所述绝缘层上设置有多个凹陷,所述凹陷在所述衬底上的正投影位于所述像素电极与所述数据图形的交叠区域在所述衬底上的正投影之外。
可选地,所述像素电极与所述数据线的一部分交叠。
可选地,所述凹陷在所述衬底上的正投影与所述数据线在所述衬底上的正投影无交叠。
可选地,所述凹陷在所述衬底上的正投影位于所述薄膜晶体管在所述衬底上的正投影之外。
可选地,所述像素电极为反射电极。
可选地,每相邻两行像素电极之间存在行间隔区,每相邻两列像素电极之间存在列间隔区,所述行间隔区与所述列间隔区的交叉区域为隔垫物区;所述凹陷在所述衬底上的正投影位于至少一部分所述隔垫物区在所述衬底上的正投影之外。
相应地,本实用新型还提供一种反射式显示面板,包括阵列基板、对盒基板和位于所述阵列基板与所述对盒基板之间的液晶层,所述阵列基板采用上述阵列基板。
可选地,所述像素电极为反射电极,所述绝缘层上的凹陷被配置为:
与反射式显示面板厚度方向的夹角在[25°,35°]之间的光线射入至所述反射式显示面板后,被所述像素电极沿所述反射式显示面板的厚度方向反射。
可选地,所述凹陷的坡度角在9°~12°之间,所述坡度角为所述凹陷侧壁的底端与顶端之间的中点处的切面与所述反射式显示面板显示面之间的夹角。
相应地,本实用新型还提供一种显示装置,包括上述反射式显示面板。
附图说明
附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型,但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为现有技术中的一种阵列基板的结构示意图;
图2为像素单元中的等效电路示意图;
图3为本实用新型实施例一提供的阵列基板的俯视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的