[实用新型]输出电路和芯片有效

专利信息
申请号: 201920020166.8 申请日: 2019-01-07
公开(公告)号: CN209045167U 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C16/30
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 李博瀚;陈晓亮
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电压信号 输出电路 电路 第二级电路 第一级电路 第三级 本实用新型 串行数据 分配传输 上拉电路 下拉电路 芯片 工作电源电压 开启阈值电压 输出电压信号 读取存储器 电路输出 高速数据 输出端口 校准信号 输出 薄栅 兼容
【权利要求书】:

1.一种输出电路,其特征在于,包括:

第一级电路,所述第一级电路用于读取存储器内部的串行数据,并将所述串行数据分成多个设定速率等级的电压信号;

第二级电路,与所述第一级电路连接,所述第二级电路用于接收所述第一级电路输出的多个电压信号,生成多个电压信号,并为每一个生成的电压信号分配传输路径;

第三级电路,与所述第二级电路连接,所述第三级电路用于接收所述第二级电路输出的多个电压信号,并根据ZQ校准信号为每一个接收到的电压信号分配传输路径;

第四级电路,与所述第三级电路连接,所述第四级电路包括上拉电路和下拉电路,所述上拉电路和所述下拉电路均包括多个并联的薄栅低阈值NMOS管,所述第四级电路用于接收所述第三级电路输出的多个电压信号,并根据接收到的电压信号生成所述输出电路的输出电压信号。

2.如权利要求1所述的输出电路,其特征在于,所述上拉电路包括多个并联的上拉支路,各所述上拉支路均包括结构相同的第一薄栅低阈值NMOS管,所述第一薄栅低阈值NMOS管的漏极与电源电压连接,所述第一薄栅低阈值NMOS管的栅极接收所述第三级电路输出的上拉电压信号;各所述上拉支路的所述第一薄栅低阈值NMOS管的源极均连接作为数据输出端。

3.如权利要求2所述的输出电路,其特征在于,所述下拉电路包括多个并联的下拉支路,各所述下拉支路均包括结构相同的第二薄栅低阈值NMOS管,所述第二薄栅低阈值NMOS管的源极接地,所述第二薄栅低阈值NMOS管的漏极与所述第一薄栅低阈值NMOS管的源极连接,所述第二薄栅低阈值NMOS管的栅极接收所述第三级电路输出的下拉电压信号。

4.如权利要求3所述的输出电路,其特征在于,所述第三级电路还用于在ZQ校准时输出多个上拉ZQ校准信号;

各所述上拉支路均包括多个第三薄栅低阈值NMOS管,各所述上拉支路中所述第三薄栅低阈值NMOS管均与所述第一薄栅低阈值NMOS管并联;所述第三薄栅低阈值NMOS管的栅极接收所述上拉ZQ校准信号,所述第三薄栅低阈值NMOS管用于根据上拉ZQ校准信号,调整所述上拉支路的等效电阻为RZQ。

5.如权利要求4所述的输出电路,其特征在于,所述第三级电路还用于在ZQ校准时输出多个下拉ZQ校准信号;

各所述下拉支路均包括多个第四薄栅低阈值NMOS管,各所述下拉支路中所述第四薄栅低阈值NMOS管均与所述第二薄栅低阈值NMOS管并联,所述第四薄栅低阈值NMOS管的栅极接收所述下拉ZQ校准信号,所述第四薄栅低阈值NMOS管用于根据下拉ZQ校准信号,调整所述下拉支路的等效电阻为RZQ。

6.如权利要求5所述的输出电路,其特征在于,多个所述第三薄栅低阈值NMOS管和多个所述第四薄栅低阈值NMOS管的等效宽长比的比例均依次递增。

7.如权利要求5所述的输出电路,其特征在于,所述上拉电路还包括上拉开关模块,所述上拉开关模块包括与所述第一薄栅低阈值NMOS管对应数目的厚栅高阈值NMOS管,所述厚栅高阈值NMOS管的漏极与电源电压连接,所述厚栅高阈值NMOS管的源极与所述第一薄栅低阈值NMOS管的漏极一一对应连接,所述厚栅高阈值NMOS管栅极用于接收所述第三级电路输出的高电压阈值信号。

8.如权利要求7所述的输出电路,其特征在于,各所述上拉支路还包括至少一个第一低电压校准MOS管,所述第一低电压校准MOS管与所述第一薄栅低阈值NMOS管并联,所述第一低电压校准MOS管的栅极与所述第三级电路连接,所述第一低电压校准MOS管用于在接收低电压信号时导通。

9.如权利要求8所述的输出电路,其特征在于,各所述下拉支路还包括至少一个第二低电压校准MOS管,所述第二低电压校准MOS管与所述第二薄栅低阈值NMOS管并联,所述第二低电压校准MOS管的栅极与所述第三级电路连接,所述第二低电压校准MOS管用于在接收低电压信号时导通。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920020166.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code