[实用新型]输出电路和芯片有效
申请号: | 201920020166.8 | 申请日: | 2019-01-07 |
公开(公告)号: | CN209045167U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/30 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 李博瀚;陈晓亮 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电压信号 输出电路 电路 第二级电路 第一级电路 第三级 本实用新型 串行数据 分配传输 上拉电路 下拉电路 芯片 工作电源电压 开启阈值电压 输出电压信号 读取存储器 电路输出 高速数据 输出端口 校准信号 输出 薄栅 兼容 | ||
1.一种输出电路,其特征在于,包括:
第一级电路,所述第一级电路用于读取存储器内部的串行数据,并将所述串行数据分成多个设定速率等级的电压信号;
第二级电路,与所述第一级电路连接,所述第二级电路用于接收所述第一级电路输出的多个电压信号,生成多个电压信号,并为每一个生成的电压信号分配传输路径;
第三级电路,与所述第二级电路连接,所述第三级电路用于接收所述第二级电路输出的多个电压信号,并根据ZQ校准信号为每一个接收到的电压信号分配传输路径;
第四级电路,与所述第三级电路连接,所述第四级电路包括上拉电路和下拉电路,所述上拉电路和所述下拉电路均包括多个并联的薄栅低阈值NMOS管,所述第四级电路用于接收所述第三级电路输出的多个电压信号,并根据接收到的电压信号生成所述输出电路的输出电压信号。
2.如权利要求1所述的输出电路,其特征在于,所述上拉电路包括多个并联的上拉支路,各所述上拉支路均包括结构相同的第一薄栅低阈值NMOS管,所述第一薄栅低阈值NMOS管的漏极与电源电压连接,所述第一薄栅低阈值NMOS管的栅极接收所述第三级电路输出的上拉电压信号;各所述上拉支路的所述第一薄栅低阈值NMOS管的源极均连接作为数据输出端。
3.如权利要求2所述的输出电路,其特征在于,所述下拉电路包括多个并联的下拉支路,各所述下拉支路均包括结构相同的第二薄栅低阈值NMOS管,所述第二薄栅低阈值NMOS管的源极接地,所述第二薄栅低阈值NMOS管的漏极与所述第一薄栅低阈值NMOS管的源极连接,所述第二薄栅低阈值NMOS管的栅极接收所述第三级电路输出的下拉电压信号。
4.如权利要求3所述的输出电路,其特征在于,所述第三级电路还用于在ZQ校准时输出多个上拉ZQ校准信号;
各所述上拉支路均包括多个第三薄栅低阈值NMOS管,各所述上拉支路中所述第三薄栅低阈值NMOS管均与所述第一薄栅低阈值NMOS管并联;所述第三薄栅低阈值NMOS管的栅极接收所述上拉ZQ校准信号,所述第三薄栅低阈值NMOS管用于根据上拉ZQ校准信号,调整所述上拉支路的等效电阻为RZQ。
5.如权利要求4所述的输出电路,其特征在于,所述第三级电路还用于在ZQ校准时输出多个下拉ZQ校准信号;
各所述下拉支路均包括多个第四薄栅低阈值NMOS管,各所述下拉支路中所述第四薄栅低阈值NMOS管均与所述第二薄栅低阈值NMOS管并联,所述第四薄栅低阈值NMOS管的栅极接收所述下拉ZQ校准信号,所述第四薄栅低阈值NMOS管用于根据下拉ZQ校准信号,调整所述下拉支路的等效电阻为RZQ。
6.如权利要求5所述的输出电路,其特征在于,多个所述第三薄栅低阈值NMOS管和多个所述第四薄栅低阈值NMOS管的等效宽长比的比例均依次递增。
7.如权利要求5所述的输出电路,其特征在于,所述上拉电路还包括上拉开关模块,所述上拉开关模块包括与所述第一薄栅低阈值NMOS管对应数目的厚栅高阈值NMOS管,所述厚栅高阈值NMOS管的漏极与电源电压连接,所述厚栅高阈值NMOS管的源极与所述第一薄栅低阈值NMOS管的漏极一一对应连接,所述厚栅高阈值NMOS管栅极用于接收所述第三级电路输出的高电压阈值信号。
8.如权利要求7所述的输出电路,其特征在于,各所述上拉支路还包括至少一个第一低电压校准MOS管,所述第一低电压校准MOS管与所述第一薄栅低阈值NMOS管并联,所述第一低电压校准MOS管的栅极与所述第三级电路连接,所述第一低电压校准MOS管用于在接收低电压信号时导通。
9.如权利要求8所述的输出电路,其特征在于,各所述下拉支路还包括至少一个第二低电压校准MOS管,所述第二低电压校准MOS管与所述第二薄栅低阈值NMOS管并联,所述第二低电压校准MOS管的栅极与所述第三级电路连接,所述第二低电压校准MOS管用于在接收低电压信号时导通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920020166.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种计算机用软件光盘存放装置
- 下一篇:存储电路