[实用新型]离子源侧向冷却装置有效

专利信息
申请号: 201920021657.4 申请日: 2019-01-07
公开(公告)号: CN209133449U 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 潘俊斌;陈俊宇;余庆璋 申请(专利权)人: 建泓科技实业股份有限公司
主分类号: H01J37/02 分类号: H01J37/02;H01J37/317;H01L21/67
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;安利霞
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 循环冷却回路 离子源腔体 冷却座 贴附部 侧向冷却 离子源 支撑座 本实用新型 使用寿命 导出部 导入部 冷却体 过热 贴合 水体 延伸
【说明书】:

实用新型提供一种离子源侧向冷却装置,其主要借由一离子源腔体、一冷却座及一支撑座相互连接所组成,所述冷却座一端设有至少一贴附部,所述贴附部与所述离子源腔体的一侧相贴合,其特征在于:所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路延伸设于所述贴附部及所述冷却座的内部,所述循环冷却回路与所述支撑座内部设有的一循环导入部及一循环导出部相连通,因此使用者即可透过所述循环导入部将水体或冷却体导入至所述循环冷却回路内,以对所述离子源腔体进行降温的作用,进而避免因所述离子源腔体过热,而缩减了部件的使用寿命。

技术领域

本实用新型是离子源侧向冷却装置,尤指一种借由循环冷却回路及导热体冷却离子源腔体的冷却装置。

背景技术

离子植入器通常用于半导体晶圆的制造上,透过离子源来产生离子束,接着再将所述离子束导向晶圆上,当离子与晶圆相撞击时,其离子则会对晶圆的特定区域进行掺杂,而掺杂区的构型则界定其功能性,且经由使用导电互连,此等晶圆可转变为复杂电路。

通常在一离子源腔体产生所述离子束的过程中,会产生大量的热能,然而,现有的技术上,为了进行散热的作用,则是利用辐射的方式,以对所述离子植入器进行散热。但因辐射的散热速度过低,故在长期的使用下,则会造成所述离子源腔体附近区域的部件寿命损耗。因此,本技术领域上亟需一种可有效提升所述离子植入器的散热功效的相关技术。

实用新型内容

因此,为解决前揭的问题,本实用新型的目的是提供离子源侧向冷却装置,主要借由一冷却座与一离子源腔体相连接,以透过所述冷却座上设置的一导热体将所述离子源腔体的热能导至所述冷却座上,再由所述冷却座内部设置的一循环冷却回路将所述冷却座进行冷却,进而达到快速降温的作用。

本实用新型提供一种离子源侧向冷却装置,应用于离子植入的技术领域中,包括:

一离子源腔体;

一冷却座,所述冷却座的一端或一侧的任意位置上与所述离子源腔体相连接,所述冷却座一端延伸设有至少一贴附部,所述贴附部贴附于所述离子源腔体的一侧或一端的任意位置上,所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路设于所述贴附部及所述冷却座内;以及

一支撑座,所述支撑座一端与所述冷却座相连接,所述支撑座内部设有一循环导入部及一循环导出部,所述循环导入部及所述循环导出部与所述循环冷却回路相连通。

较佳地,所述贴附部与所述离子源腔体之间设有一导热体,所述导热体二侧与所述贴附部及所述离子源腔体之间相贴合。

较佳地,所述贴附部内部设有一凹陷部,所述导热体埋入所述凹陷部内,与所述贴附部及所述离子源腔体相连贴。

较佳地,所述离子源腔体的二侧与二所述贴附部相贴合,二所述贴附部将所述离子源腔体夹设于所述冷却座的中央位置上。

本实用新型再提供一种离子源侧向冷却装置,应用于离子植入的技术领域中,包括:

一离子源腔体;

一冷却座,所述冷却座的一端或一侧的任意位置上与所述离子源腔体相连接,所述冷却座一端延伸设有至少一贴附部,所述贴附部贴附于所述离子源腔体的一侧或一端的任意位置上,所述贴附部与所述离子源腔体之间设有一导热体,所述导热体二侧与所述贴附部及所述离子源腔体之间相贴合;以及

一支撑座,所述支撑座一端与所述冷却座相连接。

较佳地,所述冷却座内部设有至少一循环冷却回路,所述循环冷却回路设于所述贴附部及所述冷却座内。

较佳地,所述支撑座内部设有一循环导入部及一循环导出部,所述循环导入部及所述循环导出部与所述循环冷却回路相连通。

较佳地,所述贴附部内部设有一凹陷部,所述导热体埋入所述凹陷部内,与所述贴附部及所述离子源腔体相连贴。

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