[实用新型]一种漏电流采集装置

权利要求书

1.一种漏电流采集装置,其特征在于，包括：

控制器(1)，包括输入端IN1和输出端OUT1,所述控制器的输入端IN1、输出端OUT1分别用于输入、输出模拟信号；

激励电路(2)，包括输入端IN2和输出端OUT2，所述激励电路的输入端IN2与所述控制器的输出端OUT1连接，用于对接收到的模拟信号进行放大，以通过输出端OUT2输出一激励信号；

采集电路(3)，包括输入端IN3和输出端OUT3，所述采集电路的输入端IN3、输出端OUT3分别与所述激励电路的输出端OUT2、所述控制器的输入端IN1连接，用于根据所述激励信号对一被采集源(D1)进行信号采集，将采集信号输出至所述控制器以计算所述被采集源的漏电流。

2.如权利要求1所述的漏电流采集装置，其特征在于，所述激励电路(2)包括运算放大器21和运算放大器22，所述运算放大器21的同相输入端作为所述激励电路的输入端IN2，所述运算放大器22的输出端作为所述激励电路的输出端OUT2；

所述运算放大器21的同相输入端通过电容C21接地，反向输入端与自身的输出端连接，所述运算放大器21的正极供电端连接直流电源VCC1且通过并联的电容C22和电容C23接地，负极供电端接地；

所述运算放大器22的正向输入端通过电阻R21与所述运算放大器21的输出端连接，反向输入端通过电阻R22接地且通过电阻R23与自身的输出端连接。

3.如权利要求2所述的漏电流采集装置，其特征在于，通过所述电阻R22、电阻R23调节所述激励电路(2)对接收到的模拟信号的放大倍数，所述放大倍数的取值范围为[1,11]。

4.如权利要求3所述的漏电流采集装置，其特征在于，所述模拟信号、所述激励信号均为电压信号。

5.如权利要求4所述的漏电流采集装置，其特征在于，所述激励电路(2)接收到的模拟信号的取值范围是[0,2.5V],则所述激励电路(2)输出的激励信号的取值范围是[0,27.5V]。

6.如权利要求1所述的漏电流采集装置，其特征在于，所述采集电路(3)包括被采集源(D1)和运算放大器U31，所述被采集源(D1)的正极作为所述采集电路的输入端IN3，所述运算放大器U31的输出端作为所述采集电路的输出端OUT3；

所述被采集源(D1)的负极通过电阻R31接地，所述电阻R31作为所述被采集源(D1)的采样电阻；

所述运算放大器U31的正向输入端通过电阻R32与所述被采集源(D1)的负极连接且通过并联的电容C31和稳压二极管CR31接地，反向输入端与自身的输出端连接，所述运算放大器U31的负极供电端通过电阻R33与直流电源VCC2连接且通过并联的电容C32和电容C33接地，负极供电端通过电阻R34与直流电源VCC3连接且通过并联的电容C34和电容C35接地。

7.如权利要求6所述的漏电流采集装置，其特征在于，所述被采集源(D1)用于连接ESD静电管，所述ESD静电管通过所述电阻R31释放漏电流，漏电流的取值范围是[0,824nA]。

8.如权利要求7所述的漏电流采集装置，其特征在于，所述电阻R31的阻值为9.1MΩ，则对所述被采集源(D1)进行信号采集时采集到的信号的取值范围是[0,7.5V]。

9.如权利要求8所述的漏电流采集装置，其特征在于，所述控制器(1)包括STM32单片机，所述STM32单片机的两路IO引脚分别作为控制器的输入端IN1和输出端OUT1，所述STM32单片机通过接收到的采集信号和所述电阻R31的阻值计算所述被采集源(D1)的漏电流。