[实用新型]一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构

说明书

本实用新型公开了一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，包括加热盘和传片机构，所述加热盘与传片机构构成升降机构，所述加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽；所述传片机构包括升降盘和若干组工位托，所述工位托与工位槽的数量和形状相匹配；所述工位槽和工位托的形状均为圆盘状，所述工位托的一侧设有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。本实用新型可以改进砷化镓晶片或通用晶片在PECVD工艺的薄膜生产的过程中成膜均匀差和晶片背面有膜的痕迹，影响后续光刻工序的工艺质量的技术问题，最终可以大大提高晶片热场的均匀性以及晶片成膜后的均匀性，且没有滑片的风险。

技术领域

本实用新型涉及晶片成膜技术领域，特别是一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构。

背景技术

传统的加热盘和传片机构如图1所示，工位托为直条状，且工位托的高度高于工位槽的高度；目前的砷化镓晶片或通用晶片在PECVD工艺的薄膜生产的过程中均在这种传统的加热盘和传片机构上进行成膜，由于工位托位于晶片的下方，而工位托不具备加热功能，导致晶片的温度不均匀，影响成膜的均匀性；另外，由于传片机构上对晶片进行支撑的工位托与加热盘之间存在间隙，成膜过程中会在晶片的背面留有直条状膜的痕迹，影响后续光刻工序的工艺质量。

实用新型内容

本实用新型针对上述背景技术中的不足，设计了一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，可以改进砷化镓晶片或通用晶片在PECVD工艺的薄膜生产的过程中成膜均匀差和晶片背面有膜的痕迹，影响后续光刻工序的工艺质量的技术问题，最终可以大大提高晶片热场的均匀性以及晶片成膜后的均匀性，且没有滑片的风险。

实现上述目的本实用新型的技术方案为，一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，包括加热盘和传片机构，所述加热盘与传片机构构成升降机构，所述加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽，所述传片机构升降孔设于加热盘的中心，若干个所述工位槽呈矩阵均匀分布在加热盘的四周；所述传片机构包括升降盘和若干组工位托，所述升降盘滑动设于传片机构升降孔内，所述工位托呈矩阵均匀分布在升降盘的四周，所述工位托与工位槽的数量和形状相匹配；所述工位槽和工位托的形状均为圆盘状，所述工位托的一侧设有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。

进一步地，所述工位托由直杆、弧形杆和承片托构成，所述承片托包括第一承片托和第二承片托，所述直杆的一端固定设于升降盘的一侧，所述直杆远离升降盘的一侧固定设有弧形杆，所述弧形杆远离直杆的一侧固定设有第一承片托，所述第二承片托固定在弧形杆上，且所述第二承片托的延长线与第一承片托的延长线相互垂直。

进一步地，所述弧形杆的直径大于晶片的直径，相互垂直的第一承片托和第二承片托之间的距离小于晶片的直径。

进一步地，所述直杆、弧形杆和承片托为一体成型结构。

进一步地，所述承片托与工位托为一体成型结构。

进一步地，所述工位槽的数量的为8组，所述工位托的数量为8组。

进一步地，所述工位托的高度等于工位槽的高度。

与现有技术相比，本实用新型具有的优点和有益效果是，

1.本实用新型通过加热盘和传片机构，且加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽；传片机构包括升降盘和若干组工位托，工位托与工位槽的数量和形状相匹配；工位槽和工位托的形状均为圆盘状，工位托的一侧设有承片托，这样的组合，使得晶片的热场会更均匀，得到的膜厚也更均匀。

2.本实用新型中工位托的高度小于等于工位槽的高度，由于工位托随升降盘下落后，晶片是实坐在加热盘上，因此晶片背面与加热盘没有间隙，故减少了晶片背面粒子颗粒产生，避免了晶片背面留有直条状膜的痕迹。