[实用新型]一种零静态电流的LED灯控制和按键输入分时复用电路有效
申请号: | 201920034147.0 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN209710388U | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 李河清;姜帆;刘玉山;陈利 | 申请(专利权)人: | 厦门安斯通微电子技术有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361011 福建省厦门市厦门湖*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输门 反相器 静态电流 电阻 输入分时复用电路 按键处理电路 按键输入检测 正常工作状态 输入端连接 待机状态 电池供电 电子设备 分时复用 逻辑器件 系统功耗 芯片成本 应用器件 低功耗 控制端 输出端 按键 兼容 外围 芯片 消耗 | ||
一种零静态电流的LED灯控制和按键输入分时复用电路,包括第一传输门(TG1)、第二传输门(TG2),第一反相器(INV1),第一PMOS管(P1),第一电阻(R1)、第二电阻(R2),按键处理电路和外围应用器件;所述第一传输门(TG1)的控制端和第二传输门(TG2)的C反端相连后连接第一反相器(INV1)的输出端,所述第一反相器(INV1)的输入端连接第一PMOS管(P1)的栅极。本专利完全靠逻辑器件实现LED灯控制和按键输入检测分时复用功能,不管在待机状态或者正常工作状态时,都不消耗静态电流,也不增加芯片面积,有效降低了系统功耗,节省了芯片成本;本专利没有特殊器件,完全与CMOS工艺相兼容,对于低功耗和电池供电的电子设备,比传统方案更有优势。
技术领域
本发明涉及分时复用电路,特别提供一种零静态电流的LED灯控制和按键输入分时复用电路。
背景技术
在集成电路设计中,经常会出现利用一个端子实现分时复用功能,最常见的对LED照明控制和按键输入检测的分时复用电路如图1所示,电路结构复杂,使用器件较多,一个严重缺陷是不管芯片处于工作状态还是待机状态,比较器都会消耗一定的静态电流,在低功耗或电池供电的系统中该缺点就更为突出。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的是提供一种结构简单,易于实现,成本低的零静态电流的LED控制和按键输入分时复用电路。
为达到上述目的,本发明的技术方案如下:一种零静态电流的LED灯控制和按键输入分时复用电路,包括第一传输门(TG1)、第二传输门(TG2),第一反相器(INV1),第一PMOS管(P1),第一电阻(R1)、第二电阻(R2),按键处理电路和外围应用器件;所述外围应用器件包括LED灯和按键(K1);所述第一传输门(TG1)和第二传输门(TG2)的输入端相连后连接芯片引脚(KEY_PIN),连接处通过LED灯接地,同时连接处还依次串接第一电阻(R1)、按键(K1)后接地;所述第一传输门(TG1)的控制端和第二传输门(TG2)的C反端相连后连接第一反相器(INV1)的输出端,所述第一反相器(INV1)的输入端连接第一PMOS管(P1)的栅极;所述第一传输门(TG1)的C反端和第二传输门(TG2)的控制端相连后接于第一反相器(INV1)与第一PMOS管(P1)之间;所述第一传输门(TG1)的输出端连接第二电阻(R2)后连接第一PMOS管(P1)的漏极;所述第一PMOS管(P1)的源极接电源输入(VIN),衬底与源极相连;所述第二传输门(TG2)的输出端连接按键处理电路后输出信号。
进一步,所述按键处理电路由第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、施密特反相器(Schmitt)、第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、与非门(NAND1)和延时消噪模块组成;所述第三电阻(R3)一端连接电源输入(VIN),另一端连接在IN信号和第四电阻(R4)连接处;所示第四电阻(R4)另一端依次连接施密特反相器(Schmitt)、第三反相器(INV3)、第二反相器(INV2);所述第二反相器(INV2)的输出端直接连接与非门(NAND1)的一个输入端,同时通过延时消噪模块连接与非门(NAND1)的另一个输入端;所述延时消噪模块输出端连接按键输出信号(KEY_OUT)。
进一步,所述延时消噪模块由第二PMOS管(P2)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、电容(C0)和反相器(INV0)组成;所述第二PMOS管(P2)、第一NMOS管(N1)和第二NMOS管(N2)的栅极连在一起接IN信号;所述第二PMOS管(P2)的源极与衬底相连,漏极与第一NMOS管(N1)的漏极相连后接反相器(INV0)的输入端;所述第一NMOS管(N1)的源极连接第二NMOS管(N2)的漏极;所述电容(C0)一端接反相器(INV0)的输入端,另一端和第二NMOS管(N2)的源极相连后接地线,第一NMOS管(N1)的衬底连接第二NMOS管(N2)的衬底后接于电容(C0)和地线之间。
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