[实用新型]一种还原炉喷嘴装置有效
申请号: | 201920051258.2 | 申请日: | 2019-01-12 |
公开(公告)号: | CN210457487U | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 易本友 | 申请(专利权)人: | 抚州市天和硅业有限责任公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 胡群 |
地址: | 344000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 还原 喷嘴 装置 | ||
本实用新型公开了一种还原炉喷嘴装置,包括底盘、设于底盘上的辅助管、与辅助管连接的进气管道、套设在进气管道上的喷嘴外套筒以及设于喷嘴外套筒上端的导流部,其特征在于:所述进气管道为设有外螺纹的全螺纹管道,所述进气管道一端与辅助管螺纹连接,另一端与喷嘴外套筒螺纹连接,所述导流部内形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔,所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述进气管道相连通,所述的辅助管焊接在底盘上,所述导流部设有外螺纹,螺纹连接在喷嘴外套筒的顶端,所述喷嘴外套筒内部形成进气腔,所述进气腔从进气管道向中央喷孔方向逐渐缩小。本实用新型具有结构简单,使用方便等优点。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产设备技术领域,特别涉及一种还原炉喷嘴装置。
背景技术
在西门子法生产多晶硅的还原炉中,通常将一定配比的三氯氢硅(SiHCl3) 和氢气(H2) 混合气从底部进气口喷入,在还原炉内发生气相还原反应,反应生成的硅(Si) 直接沉积在炉内的硅芯表面,随着反应的持续进行,硅棒不断生长最终达到产品要求。
近年来,由于光伏行业高速发展对多晶硅产品需求增长,我国多晶硅行业开始了飞速发展,而多晶硅还原炉也成为了多晶硅生产工艺中的核心设备。目前多晶硅还原炉中采用的喷嘴往往是固定在底盘上,无法根据生产工艺调节自身的高度,难以满足生产需要,并且使用过后拆卸、清洗、安装非常困难,不利于操作,影响多晶硅生产的效率。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种还原炉喷嘴装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种还原炉喷嘴装置,包括底盘、设于底盘上的辅助管、与辅助管连接的进气管道、套设在进气管道上的喷嘴外套筒以及设于喷嘴外套筒上端的导流部,其特征在于:所述进气管道为设有外螺纹的全螺纹管道,所述进气管道一端与辅助管螺纹连接,另一端与喷嘴外套筒螺纹连接,所述导流部内形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔,所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述进气管道相连通,所述的辅助管焊接在底盘上,所述导流部设有外螺纹,螺纹连接在喷嘴外套筒的顶端,所述喷嘴外套筒内部形成进气腔,所述进气腔从进气管道向中央喷孔方向逐渐缩小。
优选的,所述进气管道的外部设有可直观度量喷嘴高度的刻度尺。
优选的,所述中央喷孔的横截面积大于所述多个侧喷孔的每个的横截面积。
优选的,所述多个侧喷孔的每个的横截面均为矩形。
优选的,所述多个侧喷孔的每个均为从底部以预定仰角旋转至顶部的侧喷孔。
优选的,所述多个侧喷孔的数量为4-8 个。
本实用新型的有益效果:
进气管道采用全螺纹管道,与底盘及喷嘴外套筒采用螺纹连接方式,可根据生产条件需要,利用进气管道与还原炉底盘辅助管、喷嘴外套筒的螺旋传动调节喷嘴高度,满足多晶硅生产工艺要求,也便于喷嘴的拆卸及安装;采用全螺纹管道,微调全螺纹管道即可使喷嘴高度更精确。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种还原炉喷嘴装置的结构示意图。
图中:1、导流部;3、进气腔;4、喷嘴外套筒;5、进气管道;6、刻度尺;7、底盘;8、辅助管;9、中央喷孔;10、侧喷孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
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