[实用新型]一种导流筒有效

专利信息
申请号: 201920053512.2 申请日: 2019-01-11
公开(公告)号: CN209522950U 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 易本友 申请(专利权)人: 抚州市天和硅业有限责任公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 胡群
地址: 344000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 导流筒 筒体 内喷筒 外喷筒 筒壁 中空双层结构 本实用新型 导流通道 惰性气体 中空结构 相变料 中空层 喷筒 填充 纵向温度梯度 倒圆台结构 环绕设置 两端连通 上下两层 直筒结构 中心轴向 逐渐变窄 倒圆台 有效地 中空腔 单晶 调高 隔杆 空层 内筒 外筒 尾端 下层 流动 上层
【说明书】:

实用新型公开了一种导流筒,包括直筒结构的筒体,筒体为两端连通的中空结构,其内的中空腔为引导惰性气体流动的导流通道,导流通道的尾端设有一组内喷筒和多组外喷筒,内喷筒位于中间、外喷筒以内喷筒为中心轴向环绕设置,内喷筒和外喷筒均为从上之下逐渐变窄的倒圆台的中空结构,筒体的筒壁为中空双层结构,筒体的筒壁从外至内包括外筒层、中空层和内筒层,中空层内由隔杆隔绝成上下两层,其中上层填充相变料、下层为空层。本实用新型导流筒末端设有倒圆台结构的的内外喷筒,筒壁为上部填充相变料的中空双层结构,加速惰性气体的流动速率、同时有效地调高导流筒内部的纵向温度梯度,提高了单晶的增长速度。

技术领域

本实用新型属于单晶硅制造中零件设备相关领域,具体涉及一种导流筒。

背景技术

单晶硅生长工艺中,通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅,单晶硅生长设备为单晶炉,其内部内部装有热场,热场设有导流筒,导流筒是单晶硅生长的关键元件之一,主要用于控制轴向温度梯度和引导惰性气体流向,导流筒可使惰性气体的气流可由上而下经过导流筒导入热场内部,对拉晶环境进行吹扫,带走硅溶液上方的SiO,并对单晶硅进行降温,增大其纵向温度梯度,使单晶快速生长。目前的导流筒一般为单一的直筒结构,其引导惰性气体的流动速度较低,且降温效率低,使得纵向温度梯度相对较小,进而单晶硅生长速度减慢,降低其生产效率。

实用新型内容

针对现有技术中的不足与难题,本实用新型旨在提供一种导流筒。

本实用新型通过以下技术方案予以实现:

一种导流筒,包括直筒结构的筒体,筒体为两端连通的中空结构,其内的中空腔为引导惰性气体流动的导流通道,导流通道的尾端设有一组内喷筒和多组外喷筒,内喷筒位于中间、外喷筒以内喷筒为中心轴向环绕设置,内喷筒和外喷筒均为从上之下逐渐变窄的倒圆台的中空结构,筒体的筒壁为中空双层结构,筒体的筒壁从外至内包括外筒层、中空层和内筒层,中空层内由隔杆隔绝成上下两层,其中上层填充相变料、下层为空层。

进一步地,外喷筒与筒体内壁之间、内喷筒和外喷筒之间、两两相邻外喷筒之间设有间隙。

进一步地,外喷筒数量为6-10组。

进一步地,在同一水平方向上内喷筒直径大于外喷筒直径,同位置上喷筒直径为外喷筒直径的1.5-3倍。

进一步地,内喷筒、外喷筒的侧壁与中轴线的夹角为10-30度。

进一步地,中空层的上层的长度与总长度之比为1/2-2/3,相变料为石蜡。

进一步地,内筒层的导热系数高于外筒层。

进一步地,筒体的顶端设有定位头、底端设有引流板,引流板截面为直角三角形或扇形,斜边或弧边朝外。

与现有技术相比,本实用新型有益效果包括:

(1)本实用新型导流筒末端设有倒圆台结构的的内外喷筒,依据伯努利原理以及相变潜热原理,加速惰性气体的流动速率,加速热量传导,同时可使气流能够带走在硅液上方存留的SiO气体,减少了氧进入单晶硅的几率,有利于提高了单晶硅的品质。

(2)本实用新型导流筒筒壁为上部填充相变料的中空双层结构,依据相变潜热原理,上层利用相变料,吸热从固相转变为液相,发生相变转变过程,由于该相变料104融化大量吸热,将热量大量吸收,从而达到快速降温的功效,使得上层传热系数大于下层,上层散热快于下层,依次上层区域的炉温比下层炉温,有效地调高导流筒内部的纵向温度梯度,提高了单晶的增长速度。

(3)本实用新型内外喷筒之间设有间隙,根据狭管效应部分气体从间隙中流出形成狭管效应,在间隙内流过时风速增大。

附图说明

图1为本实用新型的结构上示意图。

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