[实用新型]一种衰化卷对卷设备等离子强度的装置

说明书

本实用新型公开了一种衰化卷对卷设备等离子强度的装置，包括放卷舱、多孔石英锭、线圈、石英管、收卷舱、设备框架和射频控制仪，所述放卷舱设置在所述设备框架上端面一端，且所述收卷舱设置在所述设备框架上端面另一端。本实用新型的有益效果是：本实用新型中采用多孔石英锭来保证反应、保护气源的均匀进气，从而有效地阻碍等离子体偏放卷舱粒子运动，较好的缩短了等离子体的行程，另外通过多孔石英锭上的微孔营造阻碍等离子体行程，大大地提高等离子体有效碰撞来降低等离子体强度，从而减少等离子体进入放卷舱，降低刻蚀铜箔卷的外表面和卷边的端面的可能性，减弱等离子体对衬底表面的轰击，降低膜与衬底的内应力，提升成膜质量及效率。

技术领域

本实用新型涉及一种衰化等离子强度的装置，具体为一种衰化卷对卷设备等离子强度的装置，属于衰化等离子强度的装置应用技术领域。

背景技术

PECVD卷对卷法是采用卷轴联动，PE激发等离子体连续、快速制备大面积、高质量石墨烯的制备方法。借助射频电源使含有薄膜成分原子的碳源气体电离，在局部形成等离子体产生辉光现象，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基底上沉积出所期望的石墨烯薄膜。

为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，但由于等离子体的强度、均匀性只能通过辉光的明暗程度和均匀性来初步评估，另外射频电源激发的等离子体不仅存在于反应的高温区，离射频线圈较近的低温放卷舱区域也存在较强的等离子，会不断刻蚀铜箔卷的外表面和卷边的端面，等离子体对衬底表面的轰击增强，增加膜与衬底的内应力，使晶格等内部缺陷增多，导致成膜质量下降。过强等离子刻蚀后的铜箔端面经高温处理后，启动收卷轴时由于应力集中易于撕裂铜箔。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决离射频线圈较近的低温放卷舱区域存在的较强的等离子会不断刻蚀铜箔卷的外表面和卷边的端面，等离子体对衬底表面的轰击增强，增加膜与衬底的内应力，使晶格等内部缺陷增多，导致成膜质量下降。过强等离子刻蚀后的铜箔端面经高温处理后，启动收卷轴时由于应力集中易于撕裂铜箔的问题，而提出一种衰化卷对卷设备等离子强度的装置。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：一种衰化卷对卷设备等离子强度的装置，包括放卷舱、多孔石英锭、线圈、石英管、收卷舱、设备框架和射频控制仪，所述放卷舱设置在所述设备框架上端面一端，且所述收卷舱设置在所述设备框架上端面另一端，所述放卷舱一端水平连接有所述石英管，所述石英管与所述放卷舱连接的一端套设有线圈，且所述放卷舱与线圈之间中部设置有多孔石英锭，多孔石英锭来保证反应、保护气源的均匀进气，阻碍等离子体偏放卷舱行程的同时，通过微孔形成等离子体有效碰撞来降低等离子体强度，从而降低对铜箔的负面轰击，提升成膜质量及效率，所述设备框架中部上方设置有加热炉胆，且所述加热炉胆一侧设置有触摸控制屏幕，所述设备框架中部设置有射频控制仪。

本实用新型的进一步技术改进在于：所述设备框架上设置有气体供应装置和气体流量控制装置，且所述气体供应装置出气口在经过气体流量控制装置后与输送放卷舱进气口相连接。

本实用新型的进一步技术改进在于：所述触摸控制屏幕内部一侧设置有风冷散热装置，风冷散热装置可以极大的提高铜箔的冷却效率。且所述石英管与射频控制仪上端的射频电源、加热炉胆、触摸控制屏幕和风冷散热装置均呈贯穿设置，且石英管右侧连接收卷舱。

本实用新型的进一步技术改进在于：所述放卷舱用于通入生长石墨烯的碳源气体、氢气以及惰性载气，且放卷舱内部设置有放卷轴，所述放卷轴用于塞装卷装铜箔。

本实用新型的进一步技术改进在于：所述收卷舱内部设置有旋转电机，且所述旋转电机用于卷动收料，所述射频控制仪用于在石英管内产生均匀等效的等离子体辉光，促进碳源的分解和石墨烯的生长速率，从而有效降低石墨烯的生长温度，也降低铜箔在高温下拉伸变形断裂的可能性。

一种衰化卷对卷设备等离子强度的的装置的使用方法，该方法具体包括以下步骤：