[实用新型]一种多晶硅铸锭装置

说明书

本实用新型提供了一种多晶硅铸锭装置，包括坩埚、设置在所述坩埚侧壁外围的坩埚护板和设置在所述坩埚侧壁上沿的陶瓷板，所述坩埚具有第一容置腔，所述陶瓷板形成与所述第一容置腔贯通的第二容置腔，所述陶瓷板的上沿高于或齐平于所述坩埚护板的上沿；陶瓷板的设置隔绝了坩埚中的硅料在熔化过程中产生的SiO与坩埚护板的接触，避免了CO的生成，进而有效避免了硅锭中碳含量的增加，提高了多晶硅的质量。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅铸锭技术领域，特别涉及一种多晶硅铸锭装置。

背景技术

多晶硅铸锭炉是一种硅重熔再结晶设备。在铸锭炉内含有大量的石墨器件，例如坩埚护板等。而在铸锭过程中为了便于排气除杂，现有坩埚护板一般高于坩埚的高度。硅料在熔化过程中产生的SiO随着气流流动会与坩埚护板多次接触，从而使其中的碳元素与SiO反应，产生CO进入气流中，最终进入硅熔体，造成硅锭中的碳含量增加，影响产品质量。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种多晶硅铸锭装置，通过在坩埚侧壁上设置陶瓷板，隔绝硅料熔化过程中产生的SiO与坩埚护板接触，避免了CO的生成和硅锭中碳含量的增加，提高了产品质量。

第一方面，本实用新型提供了一种多晶硅铸锭装置，包括坩埚、设置在所述坩埚侧壁外围的坩埚护板和设置在所述坩埚侧壁上沿的陶瓷板，所述坩埚具有第一容置腔，所述陶瓷板形成与所述第一容置腔贯通的第二容置腔，所述陶瓷板的上沿高于或齐平于所述坩埚护板的上沿。

在本实用新型中，所述陶瓷板设置在所述坩埚的上沿并围设形成与所述第一容置腔贯通的第二容置腔。

在本实用新型中，坩埚侧壁上沿即为坩埚侧壁远离坩埚底部的一端。

在本实用新型中，通过在坩埚侧壁的上沿设置陶瓷板，隔绝了在铸锭过程中产生的SiO与坩埚护板接触，避免了CO的生成和硅锭中碳含量的增加，进而提高了硅锭的质量。

可选的，所述坩埚为方形时，所述陶瓷板由多个子陶瓷板组成，多个所述子陶瓷板设置在所述坩埚侧壁的上沿。

在本实用新型中，多个子陶瓷板的高度可以相同，也可以不同。其中，每个子陶瓷板的上沿高于或齐平于坩埚护板的上沿，对此不作限定。进一步的，多个所述子陶瓷板的高度一致。

可选的，所述陶瓷板的高度为10mm-30mm。

可选的，所述陶瓷板的厚度小于或等于所述坩埚侧壁的厚度。

可选的，所述陶瓷板的厚度为10mm-30mm。

可选的，所述陶瓷板的上沿为水平上沿或倾斜上沿。进一步的，所述陶瓷板的上沿为水平上沿。

可选的，所述坩埚护板的上沿为水平上沿或倾斜上沿。进一步的，所述坩埚护板的上沿为水平上沿。

在本实用新型中，相对于所述坩埚底部，陶瓷板的上沿和坩埚护板的上沿为水平上沿或倾斜上沿。

可选的，所述坩埚护板的内侧面与所述坩埚的外侧面贴合设置，所述坩埚护板的内侧面与所述陶瓷板的外侧面贴合设置。

可选的，所述坩埚护板的顶部设置有多个贯通所述坩埚护板的第一通气孔，所述陶瓷板上设置有贯通所述陶瓷板且与所述第一通气孔对应的第二通气孔。

在本实用新型中，第一通气孔和第二通气孔贯通即可，两者的孔径可以相同，也可以不同，对此不作限定。可选的，所述第一通气孔和所述第二通气孔的孔径相同。在本实用新型中，第一通气孔与第二通气孔对应是指第一通气孔与第二通气孔的中心重合或所述第二通气孔的中心至坩埚底部的垂直距离高于所述第一通气孔的中心至坩埚底部的垂直距离。进一步的，所述第二通气孔的中心比所述第一通气孔的中心至坩埚底部的垂直距离高5mm-15mm。