[实用新型]用于喷射流体的设备以及流体喷射设备

权利要求书

1.一种用于喷射流体的设备，其特征在于，包括：

第一半导体本体，包括喷嘴和第一凹槽，所述第一凹槽限定腔室的第一部分，所述喷嘴被流体耦合到所述第一部分；以及

第二半导体本体，具有膜和第二凹槽，所述第二凹槽限定所述腔室的第二部分，致动器操作性地被耦合到所述膜，

其中所述第一半导体本体和所述第二半导体本体被耦合在一起，以便所述第一部分和所述第二部分共同形成被配置成容纳所述流体的腔室，以及

其中所述第一部分限定所述腔室的总体积的第一体积，并且所述第二部分限定所述腔室的所述总体积的第二体积，所述第一体积大于所述第二体积。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述致动器是操作性地被耦合到所述膜的压电致动结构。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一半导体本体包括第一结构层，并且所述第二半导体本体包括第二结构层，所述第一凹槽在所述第一结构层中形成，并且所述第二凹槽在所述第二结构层中形成，所述第二结构层的厚度小于所述第一结构层的厚度。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，由所述第一部分限定的所述腔室的所述第一体积在所述腔室的所述总体积的60％和90％之间。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括第三半导体本体，所述第三半导体本体被耦合到所述第二半导体本体，所述第三半导体本体包括被流体耦合到所述腔室的入口通孔。

6.一种流体喷射设备，其特征在于，包括：

第一半导体本体，包括喷嘴和第一凹槽；

第二半导体本体，包括膜和第二凹槽，所述第二半导体本体被耦合到所述第一半导体本体，以便所述第一凹槽和所述第二凹槽形成被配置成保持流体的腔室，其中所述第一凹槽限定所述腔室的总体积的第一体积，并且所述第二凹槽限定所述腔室的所述总体积的第二体积，所述第一体积大于所述第二体积；以及

被耦合到所述膜的致动器。

7.根据权利要求6所述的流体喷射设备，其特征在于，所述致动器是压电致动器。

8.根据权利要求6所述的流体喷射设备，其特征在于，所述第一凹槽限定所述腔室的所述总体积的60％至90％。

9.根据权利要求6所述的流体喷射设备，其特征在于，还包括第三半导体本体，所述第三半导体本体被耦合到所述第二半导体本体，所述第三半导体本体包括入口，所述入口被配置成接纳所述流体并且将所述流体提供到所述腔室。

10.根据权利要求9所述的流体喷射设备，其特征在于，所述第三半导体本体包括腔，其中所述致动器在所述腔中。

11.根据权利要求10所述的流体喷射设备，其特征在于，所述腔中的表面由二氧化铪层覆盖。

12.根据权利要求6所述的流体喷射设备，其特征在于，所述喷嘴被配置成响应于所述膜偏斜而从所述腔室喷射所述流体。

13.根据权利要求6所述的流体喷射设备，其特征在于，所述第一半导体本体包括第一结构层，并且所述第二半导体本体包括第二结构层，所述第一凹槽在所述第一结构层中形成，并且所述第二凹槽在所述第二结构层中形成，所述第一结构层比所述第二结构层厚。