[实用新型]一种脉冲采样隔离电路

权利要求书

1.一种脉冲采样隔离电路，其特征在于，包括：依次连接的初级电路(1)、变压器(T)和次级电路(2)，所述初级电路(1)包括：振荡器(Y)、第一NMOS管(Q1)、第二NMOS管(Q2)、PMOS管(Q3)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)和第一电容(C1)，其中：

所述振荡器(Y)的输出端分别与所述第一NMOS管(Q1)的g端和所述第二NMOS管(Q2)的g端连接，所述第一NMOS管(Q1)的s端分别与所述第一电阻(R1)的一端和所述第二NMOS管(Q2)的s端连接并接地，所述第二NMOS管(Q2)的d端分别与所述第一电阻(R1)的另一端和所述第一电容(C1)的负极连接，作为所述脉冲采样隔离电路的输出端，所述第一电容(C1)的正极分别与所述PMOS管(Q3)的s端和所述第一二极管(D1)的负极连接，所述PMOS管(Q3)的d端与所述变压器(T)的初级线圈的同名端连接，所述PMOS管(Q3)的g端分别与所述第一二极管(D1)的正极、所述变压器(T)的初级线圈的异名端和所述第一NMOS管(Q1)的d端连接。

2.根据权利要求1所述的脉冲采样隔离电路，其特征在于，所述次级电路(2)包括：第二二极管(D2)，所述第二二极管(D2)的正极与所述变压器(T)的次级线圈的负极连接，所述第二二极管(D2)的负极作为所述脉冲采样隔离电路的输入端，所述变压器(T)的次级线圈的正极接地。

3.根据权利要求1所述的脉冲采样隔离电路，其特征在于，所述初级电路(1)还包括：连接在所述第一电阻(R1)和所述第二NMOS管(Q2)之间的第三二极管(D3)，所述第三二极管(D3)的正极与所述第二NMOS 管(Q2)的d端连接，所述第三二极管(D3)的负极与所述第一电阻(R1)的另一端连接。

4.根据权利要求3所述的脉冲采样隔离电路，其特征在于，所述次级电路(2)包括：第四二极管(D4)、第五二极管(D5)、第六二极管(D6)、第七二极管(D7)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、稳压电路(3)和电压跟随器(A)，其中：所述第四二极管(D4)的正极分别与所述变压器(T)次级线圈的正极和所述第五二极管(D5)的负极连接，所述第四二极管(D4)的负极分别与所述第二电容(C2)的正极和所述稳压电路(3)连接，所述稳压电路(3)分别与所述电压跟随器(A)的正电压端和负电压端连接，所述电压跟随器(A)的负电压端分别与所述第五二极管(D5)的正极、所述第七二极管(D7)的正极、所述第二电容(C2)的负极、所述第三电容(C3)的负极和所述稳压电路(3)连接并接地；

所述第六二极管(D6)的正极分别与所述变压器(T)的次级线圈的负极和所述第七二极管(D7)的负极连接，所述第六二极管(D6)的负极分别与所述第三电容(C3)的正极和所述电压跟随器(A)的输出端连接，所述电压跟随器(A)的输入端作为所述脉冲采样隔离电路的输入端。

5.根据权利要求4所述的脉冲采样隔离电路，其特征在于，所述稳压电路(3)包括：第八二极管(D8)、稳压二极管(D9)、第二电阻(R2)、NPN型三极管(Q4)和第四电容(C4)，其中：

所述第八二极管(D8)的负极分别与所述第二电阻(R2)的一端、所述NPN型三极管(Q4)的集电极和所述第二电容(C2)的正极连接，所述第八二极管(D8)的负极分别与所述NPN型三极管(Q4)的发射极、所述第四电容(C4)的正极和所述电压跟随器(A)的正电压端连接，所述第二电阻(R2)的另一端分别与所述NPN型三极管(Q4)的基极和所述稳压二极管(D9)的负极连接，所述稳压二极管(D9)的正极分别与所述第四电容(C4)的负极和所述电压跟随器(A)的负电压端连接并接地。