[实用新型]一种半导体双MOS芯片有效
| 申请号： | 201920077854.8 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN209374455U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 翟晓君;宋永奇 | 申请（专利权）人： | 上海神沃电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 源极焊盘 半导体 漏极焊盘 栅极焊盘 钝化层 预留区 本实用新型 侧边 封装 工作稳定性 抗干扰能力 体积缩小 中心区域 大电流 绝缘带 灵敏度 打线 减小 内阻 线损 | ||
1.一种半导体双MOS芯片，其特征在于，包括：
半导体双MOS芯片本体，所述半导体双MOS芯片本体的上表面具有第一侧边和第二侧边，所述第一侧边与所述第二侧边相对，所述半导体双MOS芯片本体具有垂直于所述第一侧边和所述第二侧边的中心线，所述半导体双MOS芯片本体包括位于所述中心线左侧的第一MOS和位于所述中心线右侧的第二MOS；
第一源极焊盘金属层，位于所述第一MOS的上表面；
第二源极焊盘金属层，位于所述第二MOS的上表面；
漏极焊盘金属层，位于所述第一MOS和所述第二MOS的上表面，所述漏极焊盘金属层横跨于所述中心线上；
第一栅极焊盘金属层，位于所述第一MOS的上表面，所述第一栅极焊盘金属层位于所述中心线的左侧；
第二栅极焊盘金属层，位于所述第二MOS的上表面，所述第二栅极焊盘金属层位于所述中心线的右侧；
所述第一源极焊盘金属层、所述第二源极焊盘金属层、所述漏极焊盘金属层、所述第一栅极焊盘金属层、所述第二栅极焊盘金属层之间具有绝缘带；
IC芯片预留区钝化层，位于所述第一源极焊盘金属层和所述第二源极焊盘金属层的上表面，所述IC芯片预留区钝化层位于所述半导体双MOS芯片本体的中心区域；
所述漏极焊盘金属层位于所述IC芯片预留区钝化层与所述第一侧边之间，所述第一栅极焊盘金属层和所述第二栅极焊盘金属层位于所述IC芯片预留区钝化层与所述第二侧边之间。
2.根据权利要求1所述的半导体双MOS芯片，其特征在于：所述半导体双MOS芯片本体的种类包括半导体双NMOS芯片本体。
3.根据权利要求1所述的半导体双MOS芯片，其特征在于：所述第一MOS的漏极和所述第二MOS的漏极相连。
4.根据权利要求1所述的半导体双MOS芯片，其特征在于：所述第一源极焊盘金属层、所述第二源极焊盘金属层、所述漏极焊盘金属层、所述第一栅极焊盘金属层、所述第二栅极焊盘金属层包括铝金属层、金金属层。
5.根据权利要求1所述的半导体双MOS芯片，其特征在于：所述绝缘带的宽度介于50μm～80μm之间。
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