[实用新型]一种半导体双NMOS芯片

说明书

本实用新型提供一种半导体双NMOS芯片，包括：半导体IC芯片本体的上表面包括依次相连的第一侧边、第二侧边、第三侧边、第四侧边；源极钝化层；IC芯片预留区位于半导体双NMOS芯片本体上表面中心区；第一源极焊盘窗口位于第四侧边的边缘区域；第二源极焊盘窗口位于第三侧边的边缘区域；漏极焊盘窗口横跨于中心线上且位于第二侧边与IC芯片预留区之间；其他栅极焊盘窗口和源极焊盘窗口位于第一侧边与IC芯片预留区之间；所述各窗口设置于源极钝化层中；所述各窗口内填充有金属层。本实用新型的半导体双NMOS芯片有利于器件体积缩小、内阻减小，减少封装成本，打线缩短，减少线损，具有便于封装连接，提高控制灵敏度，提高工作稳定性和抗干扰能力的作用。

技术领域

本实用新型属于半导体集成封装领域，特别是涉及一种半导体双NMOS芯片。

背景技术

在当今智能化时代各种电子产品的体积越来越小，为此要求电子器件也越来越小，目前还没有一款应用于电子保护器的半导体双NMOS芯片。

基于以上所述，本实用新型的目的是给出一种半导体双NMOS芯片，以使器件体积缩小、内阻减小，减少封装成本，打线缩短，减少线损，具有便于封装连接，提高控制灵敏度，提高工作稳定性和抗干扰能力的作用。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体双NMOS芯片，用于使器件体积缩小、内阻减小，减少封装成本，打线缩短，减少线损，具有便于封装连接，提高控制灵敏度，提高工作稳定性和抗干扰能力的作用。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体双NMOS芯片，包括：

半导体双NMOS芯片本体，所述半导体双NMOS芯片本体包括第一NMOS和第二NMOS，所述半导体双NMOS芯片本体的上表面包括依次相连的第一侧边、第二侧边、第三侧边、第四侧边，所述半导体双NMOS芯片本体具有中心线，所述中心线穿过所述第一侧边和所述第二侧边的中部；

源极钝化层，所述源极钝化层包括第一源极钝化层和第二源极钝化层，所述第一源极钝化层设置于所述第一NMOS的上表面，所述第二源极钝化层设置于所述第二NMOS的上表面；

IC芯片预留区，位于所述半导体双NMOS芯片本体上表面中心区；

第一源极焊盘窗口，设置于所述第一源极钝化层中，所述第一源极焊盘窗口位于所述第四侧边的边缘区域，所述第一源极焊盘窗口内填充有金属层；

第二源极焊盘窗口，设置于所述第二源极钝化层中，所述第二源极焊盘窗口位于所述第三侧边的边缘区域，所述第二源极焊盘窗口内填充有金属层；

漏极焊盘窗口，设置于所述第一源极钝化层和所述第二源极钝化层中，所述漏极焊盘窗口横跨于所述中心线上，所述漏极焊盘窗口位于所述第二侧边与所述IC芯片预留区之间，所述漏极焊盘窗口内填充有金属层；

第一栅极焊盘窗口，设置于所述第一源极钝化层中，所述第一栅极焊盘窗口位于所述第一侧边与所述IC芯片预留区之间，所述第一栅极焊盘窗口位于所述中心线的边缘区域，所述第一栅极焊盘窗口内填充有金属层；

第二栅极焊盘窗口，设置于所述第二源极钝化层中，所述第二栅极焊盘窗口位于所述第一侧边与所述IC芯片预留区之间，所述第二栅极焊盘窗口位于所述中心线的边缘区域，所述第二栅极焊盘窗口内填充有金属层；

第三源极焊盘窗口，设置于所述第一源极钝化层中，所述第三源极焊盘窗口位于所述第一侧边与所述IC芯片预留区之间，所述第三源极焊盘窗口内填充有金属层；

第四源极焊盘窗口，设置于所述第二源极钝化层中，所述第四源极焊盘窗口位于所述第一侧边与所述IC芯片预留区之间，所述第四源极焊盘窗口内填充有金属层。

可选地，所述第一NMOS的漏极和所述第二NMOS的漏极相连。