[实用新型]一种平面结构的VCSEL芯片

说明书

本实用新型公开了一种平面结构的VCSEL芯片，在VCSEL芯片的欧姆接触层一侧，形成有主氧化孔和辅助氧化孔，进而通过主氧化孔和辅助氧化孔能够对限制层进行氧化处理，形成对应导电区为导电结构层和其余部分区为氧化结构层的限制层，以通过氧化结构层达到限制电流的目的，而使得电流自导电结构层处流过，该制作方法工艺简单，且生产成本低。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更为具体的说，涉及一种平面结构的VCSEL芯片。

背景技术

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)芯片，又称VCSEL芯片，是以砷化镓半导体材料为基础的激光发射芯片，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用与光通信、光互连、光存储等领域。目前VCSEL芯片主要有台柱结构和平面结构两种工艺制程方式，其中，平面结构VCSEL芯片利于各出光管相互集成，节约空间，在阵列VCSEL芯片的制作上有一定优势。但是，现有的平面结构VCSEL芯片的制作工艺大多采用离子注入的方法限制电流，而使得现有平面结构VCSEL芯片的制作难度大，且生产成本较高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种平面结构的VCSEL芯片，VCSEL芯片形成有主氧化孔和辅助氧化孔，进而通过主氧化孔和辅助氧化孔对限制层进行氧化处理，形成对应导电区为导电结构层和其余部分区为氧化结构层的限制层，通过氧化结构层达到限制电流的目的，该制作方法工艺简单，且生产成本低。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种平面结构的VCSEL芯片，包括：

衬底；

位于所述衬底一表面上的第一半导体多层膜反射镜；

位于所述第一半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的有源层；

位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体多层膜反射镜，其中，所述第二半导体多层膜反射镜包括有一限制层，所述限制层划分有至少一个导电区，所述限制层在所述导电区为导电结构层，且所述限制层在其余部分区为氧化结构层；

位于所述第二半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的欧姆接触层，其中，在所述欧姆接触层一侧，环绕所述导电区设置有多个主氧化孔，且位于所述多个主氧化孔环绕区域外设置有至少一个辅助氧化孔，所述主氧化孔和所述辅助氧化孔均裸露所述限制层；

位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧的保护层，其中，所述保护层覆盖所述欧姆接触层背离所述衬底一侧表面，及所述保护层覆盖所述主氧化孔和所述辅助氧化孔的侧壁和底面，且所述保护层对应所述导电区处为镂空；

以及，位于所述衬底背离所述第一半导体多层膜反射镜一侧的背面电极，及位于所述保护层背离所述衬底一侧的正面电极，所述正面电极与所述欧姆接触层电连接，且所述正面电极对应所述导电区处为镂空。

可选的，所述主氧化孔和所述辅助氧化孔均延伸至所述限制层内预设厚度。

可选的，所述主氧化孔和所述辅助氧化孔均透过所述限制层。

可选的，所述保护层对应所述导电区处的镂空的尺寸大于所述正面电极对应所述导电区处的镂空的尺寸、且呈环形区域；

其中，所述正面电极在所述环形区域与所述欧姆接触层相接触而实现电连接。

可选的，所述第一半导体多层膜反射镜为N型多层膜反射镜；

及，所述第二半导体多层膜反射镜为P型多层膜反射镜。

可选的，所述第一半导体多层膜反射镜和所述第二半导体多层膜反射镜均为分布式布拉格反射镜。