[实用新型]一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜

说明书

本实用新型公开了一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，属于光电玻璃技术领域，包括TG基板、镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，ITO导电层的厚度为120~150纳米，五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，本实用新型实施例的ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构，其中，上述厚度范围的五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔组成的消影层可以实现对厚度超厚的ITO导电膜进行消影，其中，上述厚度的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以低阻值超厚ITO导电膜的完全消影。

技术领域

本实用新型涉及光电玻璃技术领域，尤其涉及一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜。

背景技术

ITO导电膜，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

ITO导电膜的主要参数有：表面方块电阻、表面电阻的均匀性、透光率、反射率、蚀刻前后反射率差值（消影特性）、热稳定性、耐酸碱稳定性、耐划伤（耐后期加工）等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜厚度有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。

现有ITO导电膜的结构为：Glass/BM/ITO氧化铟锡，其中BM为绝缘保护层，ITO是导电层，这种结构在蚀刻成图案以后，由于蚀刻前后的反射差值较大，ITO电极线看的非常明显，影响触摸屏的外观。在可见光下，由于整个膜层的透过率比较低，只有88％左右，如果电阻值更低的话，透过率还会更低，导致反射率高，因此在可见光下，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。

但是，在日常使用的过程中，某些情况下需要特别低阻的ITO膜，对于厚度超厚的低阻ITO膜通常颜色不均匀，影子非常重，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。由于其厚度和吸收以及膜层成分的变化，蚀刻前后反射差会更大，蚀刻时会产生更重的影子，也即已有技术中根本就不存在完全消影的较厚溅镀的ITO导电膜。换句话说，目前使用的超过50纳米的ITO导电膜，基本没有做消影处理，只能用在特殊情况无消影要求的地方。一般情况下，常规厚度（15-30纳米）ITO消影要求应该容易满足，但对于超厚低阻（10-15欧）的ITO，很难消影，市场上见不到。

发明内容

本实用新型提供一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，旨在解决超厚低阻ITO的消影问题，满足市场需求。

本实用新型提供的具体技术方案如下：

本实用新型提供的一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于所述五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于所述二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，所述ITO导电层的厚度为120~150纳米，所述五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，所述二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，所述ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构。

可选的，所述ITO导电层的厚度为141.6纳米，所述五氧化二铌膜厚度为6.7纳米，所述二氧化硅膜的厚度为52.3纳米

可选的，所述TG基板的厚度为0.7毫米，所述ITO导电膜的方块阻值为10~15欧。

本实用新型的有益效果如下：