[实用新型]MOS管栅极虚焊品筛选装置有效

专利信息
申请号: 201920105403.0 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN209658141U 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 蒙桥 申请(专利权)人: 江苏东海半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 徐洋洋<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 推块 移动板 滑槽 第一滑块 筛选装置 导管 滑塞 虚焊 圆孔 密封 本实用新型 第二滑块 内部设置 推动连接 固定环 连接杆 弹簧 卡块 滤网 上移 颞部 移动
【说明书】:

实用新型公开了MOS管栅极虚焊品筛选装置,包括机体、圆孔、第一推块、导管、第一卡块、第二滑块、第一固定环、滤网、第一连接块和第二连接块,所述机体的一侧设置有外壳,所述外壳远离机体的一侧设置有移动板,所述移动板与外壳的连接处设置有第一滑块,所述第一滑块与外壳的连接处设置有第一滑槽,所述圆孔设置于外壳和移动板上,其中,所述第一推块设置于机体靠近外壳的一端,所述第一推块与机体的连接处设置有推块滑槽,所述推块滑槽的内部设置有弹簧。该MOS管栅极虚焊品筛选装置,通过第一推块推动连接杆,让连接按推动密封滑塞在导管的颞部移动,这样可以让另一侧的密封滑塞通过连接杆让第一推块上移,从而对外的内侧进行固定。

技术领域

本实用新型涉及虚焊品筛选技术领域,具体为MOS管栅极虚焊品筛选装置。

背景技术

MOS管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管,也可以是是金属—绝缘体—半导体,在MOS管的时候过程中需要进行焊接,虚焊是常见的线路故障,因生产工艺不当引起的时通时不通的不稳定状态,或者是电器经过长期使用,一些发热较严重的零件,其焊脚处的焊点极容易出现老化剥离现象所引起的。

在MOS管虚焊检测的时候会使用到热阻测试仪,热阻测试仪可以方便的对各种复杂的IC以及MCM、SIP、MOS等新型结构进行检测,使用广泛。

但市场上大多数的MOS管栅极虚焊品筛选装置在使用的时候不方便固定外壳,且不能对散热口的滤网进行更换。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供MOS管栅极虚焊品筛选装置,以解决上述背景技术提出的目前市场上的MOS管栅极虚焊品筛选装置在使用的时候不方便固定外壳,且不能对散热口的滤网进行更换的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:MOS管栅极虚焊品筛选装置,包括机体、圆孔、第一推块、导管、第一卡块、第二滑块、第一固定环、滤网、第一连接块和第二连接块,所述机体的一侧设置有外壳,所述外壳远离机体的一侧设置有移动板,所述移动板与外壳的连接处设置有第一滑块,所述第一滑块与外壳的连接处设置有第一滑槽,所述圆孔设置于外壳和移动板上,其中,

所述第一推块设置于机体靠近外壳的一端,所述第一推块与机体的连接处设置有推块滑槽,所述推块滑槽的内部设置有弹簧,所述第一推块远离外壳的一侧设置有连接杆,所述连接杆远离第一推块的一侧设置有密封滑塞,所述密封滑塞设置于导管的内部;

所述第一卡块设置于外壳与机体的连接处,所述第一卡块与外壳的连接处设置有第一卡槽,所述第二滑块固定与第一卡块远离第一卡槽的一侧,所述第二滑块与机体的连接处设置有第二滑槽,所述第二滑槽的内部设置有第二弹簧;

所述第一固定环设置于机体远离外壳的一侧,且第一固定环所在的平面与外壳所在的平面相垂直,所述第一固定环的中间设置有转轴,所述滤网设置于第一固定环靠近机体的一侧,所述第一连接块设置于第一固定环远离转轴的一侧,所述第二连接块贯穿于第一连接块的内部。

优选的,所述移动板通过第一滑块和第一滑槽与外壳滑动连接。

优选的,所述圆孔设置有两组,且两组圆孔分别设置于外壳上移动板,并且两组圆孔的位置相对应。

优选的,所述第一推块、推块滑槽、连接杆、弹簧和密封滑塞设置有两组,且2组第一推块、推块滑槽、连接杆、弹簧和密封滑塞对称分布于导管的两侧,并且密封滑塞与导管滑动连接。

优选的,所述第一卡块的剖面形状尺寸与第一卡槽的剖面形状尺寸相吻合,且第一卡块的位置与第一卡槽的位置相对应。

优选的,所述第一固定环分为两个部分,且两个部分的第一固定环通过转轴旋转连接。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该MOS管栅极虚焊品筛选装置:

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