[实用新型]一种TMR传感器有效
申请号: | 201920105881.1 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN209842037U | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 刘明;胡忠强;关蒙萌;苏玮;段君宝;朱家训 | 申请(专利权)人: | 珠海多创科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/10 | 分类号: | G01R33/10 |
代理公司: | 44291 广东朗乾律师事务所 | 代理人: | 杨焕军 |
地址: | 519000 广东省珠海市香洲区唐家*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 连接电极 串联 电极 基底 绝缘 本实用新型 电极短路 间隔设置 输出端 输入端 相邻排 电路 | ||
1.一种TMR传感器,其特征在于,包括:
绝缘基底;
设置于所述绝缘基底上的MTJ阵列,所述MTJ阵列由M×N个间隔设置的MTJ单元组成;
连接电极,所述连接电极用于串联MTJ阵列中位于同一排的两个相邻的MTJ单元,以及用于串联MTJ阵列中一排MTJ单元和其后一排MTJ单元;
调节电极,所述调节电极从多个所述连接电极引出。
2.如权利要求1所述的TMR传感器,其特征在于:所述MTJ单元包括两个串联的MTJ结构。
3.如权利要求2所述的TMR传感器,其特征在于:所述MTJ结构通过底电极串联。
4.如权利要求1或2或3所述的TMR传感器,其特征在于:相邻排的MTJ单元串联时,一排MTJ单元在该排的第1个MTJ单元处或最后一个MTJ单元处通过连接电极与其后一排MTJ单元的第1个MTJ单元或最后一个MTJ单元相连,每一个MTJ单元上连接有两个连接电极。
5.如权利要求1或2或3所述的TMR传感器,其特征在于:所述连接电极包括单连接电极,一个MTJ阵列中具有两个单连接电极,所述单连接电极连接于串联在一起的MTJ单元中的第一个MTJ单元和最后一个MTJ单元上;除了单连接电极外,每个连接电极均与两个MTJ单元相连,单连接电极只与一个MTJ单元相连。
6.如权利要求1或2或3所述的TMR传感器,其特征在于:所述调节电极从MTJ阵列最外圈的所述连接电极引出。
7.如权利要求6所述的TMR传感器,其特征在于:所述调节电极包括微调电极和粗调电极,所述微调电极从MTJ阵列中的第1排和/或第M排的MTJ单元间的连接电极引出,所述粗调电极从连接相邻排MTJ单元的连接电极引出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海多创科技有限公司,未经珠海多创科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920105881.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。