[实用新型]批次基板湿式处理装置有效
申请号: | 201920111710.X | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN209434152U | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 黄立佐;吴进原;张修凯 | 申请(专利权)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/306 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板升降机构 基板 基板旋转机构 槽体 晶舟 湿式处理装置 主控模块 升降 蚀刻 高度位置 控制基板 蚀刻液 容纳 | ||
一种批次基板湿式处理装置,包括一槽体、一基板升降机构、一基板旋转机构以及一主控模块。所述槽体用于容纳晶舟以及位于所述晶舟中的基板。所述基板升降机构设置在所述槽体上,升降所述晶舟及所述晶舟中的基板。所述基板旋转机构设置在所述基板升降机构上,且用于接触并带动所述基板进行旋转。所述主控模块连接所述基板升降机构以及所述基板旋转机构,且控制所述基板升降机构的升降以及所述基板旋转机构的旋转。透过控制基板相对所述槽体中蚀刻液的高度位置及旋转速度,可使所述基板被均匀蚀刻。
技术领域
本实用新型关于基板湿蚀刻的技术领域,尤指一种批次基板湿式处理装置,其可提升基板蚀刻的均匀度,避免基板局部区域蚀刻完全,而另外的局部区域却蚀刻不足,造成基板成品的品质及良率下降的问题。
背景技术
本实用新型创作人有鉴于现有批次基板槽式蚀刻方法对基板蚀刻的均匀度不理想的问题,改良其不足与缺失,进而创作出一种批次基板湿式处理装置。
实用新型内容
本实用新型主要目的在于提供一种批次基板湿式处理装置,其可提升基板蚀刻的均匀度,避免基板局部区域蚀刻完全,而另外的局部区域却蚀刻不足,造成基板成品的品质及良率下降的问题。
为达上述目的,本实用新型批次基板湿式处理装置包括:
一槽体,在所述槽体内形成有一容槽,所述容槽用于盛载蚀刻液,且用于容纳晶舟以及位于所述晶舟中的基板;
一基板升降机构,设置在所述槽体上,且包括一固定座、一升降驱动模块以及一升降座,所述固定座固定设置在所述槽体外,所述升降驱动模块以可作动方式设置在所述固定座上,所述升降座固定设置在所述升降驱动模块上,位于所述容槽内,且可受到所述升降驱动模块的驱动而相对所述槽体上升到容槽外或是相对所述槽体下降到所述容槽内,所述升降座用于承托所述晶舟及所述晶舟中的基板;
一基板旋转机构,设置在所述基板升降机构的所述升降座上,且包括一旋转驱动模块、一传动组件以及一从动旋转组件,所述旋转驱动模块固定设置在所述升降座上,所述传动组件连接所述旋转驱动模块并可受到所述旋转驱动模块的驱动而作动,所述从动旋转组件设置在所述升降座上,连接到所述传动组件,且可受到所述传动组件的驱动而旋转,所述从动旋转组件用于接触并带动所述基板进行旋转;以及
一主控模块,连接所述基板升降机构以及所述基板旋转机构,且控制所述基板升降机构的升降以及所述基板旋转机构的旋转。
在本实用新型一实施例中,所述升降驱动模块为一油压/气压缸,在所述油压/气压缸上以可伸缩方式设置一作动杆,所述作动杆连接所述升降座。
在本实用新型一实施例中,所述升降座上形成有一垂直板体,在所述垂直板体底端形成有一水平托板以用于承托所述晶舟。
在本实用新型一实施例中,所述旋转驱动模块为一驱动马达而具有一驱动轴;所述传动组件包括一垂直传动杆以及一水平传动轴,所述垂直传动杆以可旋转方式贯穿设置在所述垂直板体上,且与所述驱动轴啮合,所述水平传动轴与所述垂直传动杆啮合;所述从动旋转组件包括二水平旋转带动杆,所述二水平旋转带动杆与所述水平传动轴啮合,在各所述水平旋转带动杆上形成有一接触带动部以用于接触并且带动所述基板进行旋转。
在本实用新型一实施例中,所述二水平旋转带动杆位于同一水平位置上。
在本实用新型一实施例中,所述接触带动部上形成有多个轴向排列的摩擦肋条。
在本实用新型一实施例中,所述驱动轴与所述垂直传动杆之间透过二伞形齿轮相互啮合;所述垂直传动杆与所述水平传动轴之间透过二伞形齿轮相互啮合;所述水平传动轴与各所述水平旋转带动杆之间透过二齿轮相互啮合。
在本实用新型一实施例中,所述批次基板湿式处理装置进一步包括一蚀刻速率资料库模块,所述蚀刻速率资料库模块连接所述主控模块,且用于提供所述基板各部位受到蚀刻的速率的历史资料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造