[实用新型]一种溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源

说明书

本实用新型公开了一种溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源，包括靶材、喷气小孔和狭缝，所述靶材的上方设置有磁控溅射区域，且磁控溅射区域的左右两侧均安装有外壳，所述喷气小孔设置于磁控溅射区域的内表面，所述狭缝连接于三级储气环和二级储气环的中间位置。该溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源设置狭缝连通二级储气环和一级储气环，同理狭缝也连通着剩下的几个储气环，由于狭缝截面积小于一级储气环的截面积，因此大量溅射气体存储于一级储气环内，当一级储气环内的气体压强升高后，气体将沿着圆周型狭缝进入到二级储气环内，同理其他几个储气环中也是如此，这样的设计可保持通向磁控溅射区域的气体的气压均匀，从而保证溅射气体均匀。

技术领域

本实用新型涉及物理气相沉积技术领域，具体为一种溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源。

背景技术

磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子，新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射，磁控溅射技术具有沉积速度快、基材温升低、薄膜纯度高、致密性好、工艺可重复性高等优点广泛应用于微电子、光学薄膜、材料表面处理等领域，而磁控溅射靶源正是磁控溅射领域的核心技术之一。

磁控溅射一般需要在有利于自持放电的气压环境下进行，目前传统的磁控溅射工艺是将溅射气体直接通入真空反应腔体，使真空腔内达到适合气体电离的气压即开始工作，这样的做法难以保证真空腔内气体的分布均匀，更加没有办法保证溅射靶源工作区域溅射气体的均匀性，导致成膜均匀性不够好的问题，为此，我们提出一种溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源，以解决上述背景技术中提出的磁控溅射一般需要在有利于自持放电的气压环境下进行，目前传统的磁控溅射工艺是将溅射气体直接通入真空反应腔体，使真空腔内达到适合气体电离的气压即开始工作，这样的做法难以保证真空腔内气体的分布均匀，更加没有办法保证溅射靶源工作区域溅射气体的均匀性，导致成膜均匀性不够好的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源，包括靶材、喷气小孔和狭缝，所述靶材的上方设置有磁控溅射区域，且磁控溅射区域的左右两侧均安装有外壳，所述外壳的内部设置有五级储气环，且五级储气环的下端连接有四级储气环，所述四级储气环的下端安装有三级储气环，且三级储气环的下端连接有二级储气环，所述二级储气环的下端安装有一级储气环，且一级储气环的下方连接有进气总管，所述喷气小孔设置于磁控溅射区域的内表面，所述狭缝连接于三级储气环和二级储气环的中间位置。

优选的，所述外壳与靶材之间形成半包围结构，且磁控溅射区域的竖直中心线与靶材的竖直中心线相互重合。

优选的，所述四级储气环、三级储气环、二级储气环与一级储气环的结构相同，且四级储气环、三级储气环、二级储气环与一级储气环的结构均为圆环形结构。

优选的，所述二级储气环通过狭缝与一级储气环之间构成连通结构，且二级储气环与一级储气环关于狭缝上下对称。

优选的，所述一级储气环与进气总管之间构成连通结构，且一级储气环与进气总管之间的连接方式为焊接连接。

优选的，所述喷气小孔均匀等距分布于磁控溅射区域的内部，且喷气小孔的结构为圆形结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：