[实用新型]一种数字化自动温度补偿衰减器有效
申请号: | 201920117208.X | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN209486524U | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 朱震辉 | 申请(专利权)人: | 南京航天工业科技有限公司 |
主分类号: | G05D23/20 | 分类号: | G05D23/20 |
代理公司: | 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 | 代理人: | 窦贤宇 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 自动温度补偿 本实用新型 初始化配置 单片机 衰减器 传感器 衰减 数字化 温度补偿单元 温度传感单元 自动控制单元 数控衰减器 电路加电 发送指令 观测数据 实时调整 数字电路 增益补偿 长延时 控制码 测温 取回 发送 测试 输出 | ||
本实用新型公开了一种数字化自动温度补偿衰减器,包括温度传感单元、自动控制单元和温度补偿单元;其中,首先电路加电,单片机初始化配置,设置控制码输出为全,即0衰减:传感器初始化配置,启动测温;长延时等待后,单片机发送指令到传感器取温度,取回测试观测数据,根据温度发送衰减码,依次循环。本实用新型通过将数字电路和模拟数控衰减器相结合,使得增益补偿精度高,且能实时调整,成本较低,稳定性很高。
技术领域
本实用新型涉及增益的数字化自动补偿衰减电路,具体来说,涉及一种数字化自动温度补偿衰减器,可以在使得增益补偿精度高,且能实时调整,成本较低,稳定性很高。
背景技术
目前,在电子学领域,晶体管放大电路的增益会随温度而显著变化。在微波系统中,每一处放大器的增益在高低温的条件下都会有起伏,通常情况下,高温增益低,低温增益高,在对温度稳定性要求较高或者环境温度变化大的应用场合,由于温度带来的增益起伏会影响系统正常工作。因此,设计出一款高性能的温度补偿(稳定温漂)电路是电路设计者的一项重要工作。
目前常用的温度补偿技术主要有两种,第一种是放大器工作点的偏置补偿,主要是通过热敏电阻随温度变化带来的阻值变化的特性来调整放大器的偏置电压,偏置电压在不同温度电压值不同,改变了晶体管放大器的静态工作点,静态工作电流,带来的不同温度的增益改变。但是由于热敏电阻等元器件的温度非线性特征,仅能在较窄的温度范围内实现较为理想的补偿。
第二种方法是采用厚膜宽带温度补偿衰减器。厚膜宽带温度补偿衰减器是采用厚膜工艺加工的微波吸收式衰减器。采用金丝键方式安装使用,在宽带频率范围内具有优良的衰减平坦度和端口驻波特性,非常适合应用于微波集成电路。缺点是受制于温补衰减器的型号,衰减精度不高且不可控,不能根据需要随时进行调整,使用不方便。
实用新型内容
针对相关技术中的问题,本实用新型提出一种数字化自动温度补偿衰减器,以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种数字化自动温度补偿衰减器,包括温度传感单元、自动控制单元和温度补偿单元;
温度传感单元,包括温度传感器N1、电阻R1,所述温度传感器N1的第1引脚与所述电阻R1的一端均接电压Vc1,所述温度传感器N1的第2引脚与所述电阻R1的另一端连接,所述温度传感器N1的第3引脚接地,所述温度传感器N1为高精度数字式温度传感器;
自动控制单元,包括单片机N2、电阻R2、电阻R3、电阻R4,所述单片机N2的第1引脚接电压Vc2,所述单片机N2的第2引脚分别与所述电阻R2的另一端、所述温度传感器N1的第2引脚连接,所述单片机N2的第3引脚与所述电阻R2的一端连接,所述单片机N2的第4引脚与所述电阻R3的一端连接,所述单片机N2的第5引脚与所述电阻R4的一端连接,所述单片机N2的第6引脚接地;
温度补偿单元,包括数控衰减器N3、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6,所述数控衰减器N3的第1引脚接电压Vc3,所述数控衰减器N3的第2引脚与所述电阻R2的另一端连接,所述数控衰减器N3的第3引脚与所述电阻R3的另一端连接,所述数控衰减器N3的第4引脚与所述电阻R4的另一端连接,所述数控衰减器N3的第5引脚与所述电容C1的一端连接,所述电容C1的另一端接射频信号输入,所述数控衰减器N3的第6引脚与所述电容C2的一端连接,所述电容C2的另一端接射频信号输出,所述数控衰减器N3的第7引脚与所述电容C3的一端连接,所述电容C3的另一端接地,所述数控衰减器N3的第8引脚与所述电容C4的一端连接,所述电容C4的另一端接地,所述数控衰减器N3的第9引脚与所述电容C5的一端连接,所述电容C5的另一端与所述电容C6的一端均接地,所述数控衰减器N3的第10引脚与所述电容C6的另一端连接,所述数控衰减器N3为宽带数控衰减器。
进一步,所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3和所述电阻R4的电阻值均为10Ω。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航天工业科技有限公司,未经南京航天工业科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920117208.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。