[实用新型]一种矽晶片切割装置有效
申请号: | 201920120891.2 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN209461420U | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 李翔 | 申请(专利权)人: | 佛山市南海益晶科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/677 |
代理公司: | 武汉明正专利代理事务所(普通合伙) 42241 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528000 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸盘组件 矽晶片 导轨 本实用新型 第二滑块 第一滑块 伺服电机 底板 吸盘 激光切割器 滑动连接 间隔分布 切割装置 负压泵 立梁 多方位移动 导轨横向 导轨纵向 固定作用 上端 负压力 输出端 移动 吸住 连通 切割 转换 | ||
本实用新型公开了一种矽晶片切割装置,立梁固定于底板的其中一侧边,立梁的上端设置有两个间隔分布的第一导轨,第一滑块滑动连接于所述第一导轨,第一滑块的上部设置有两个间隔分布的第二导轨,第二滑块滑动连接于第二导轨,激光切割器安装于第二滑块的下部;底板上安装有伺服电机,伺服电机的输出端安装有吸盘组件,吸盘组件上设置有多个吸盘,负压泵连通于吸盘组件。本实用新型有益效果:本实用新型第一滑块沿第一导轨纵向移动,第二滑块沿第二导轨横向移动,使得激光切割器多方位移动,便于切割,伺服电机带动矽晶片旋转,转换方向,负压泵为吸盘组件提供负压力,吸盘用于吸住矽晶片起到固定作用。
技术领域
本实用新型涉及矽晶片技术领域,尤其是一种矽晶片切割装置。
背景技术
元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的,仅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比较富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅晶片又称晶圆片,是由硅锭加工而成的,通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管,被广泛应用于集成电路的制造,半导体或芯片是由硅生产出来的。晶圆片上刻蚀出数以百万计的晶体管,这些晶体管比人的头发要细小上百倍。半导体通过控制电流来管理数据,形成各种文字、数字、声音、图像和色彩。它们被广泛用于集成电路,并间接被地球上的每个人使用。这些应用有些是日常应用,如计算机、电信和电视,还有的应用于先进的微波传送、激光转换系统、医疗诊断和治疗设备、防御系统和NASA航天飞机。随着社会的发展,越来越多的硅晶片被人们所使用,对于硅晶片的需求量也越来越大,硅晶片在制作时需要很好的切割,才能保证硅晶片的质量。
因此,对于上述问题有必要提出一种矽晶片切割装置。
实用新型内容
针对上述现有技术中存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种矽晶片切割装置。
一种矽晶片切割装置,包括底板、立梁、第一导轨、第二导轨、第一滑块、第二滑块、负压泵和激光切割器,所述立梁固定于所述底板的其中一侧边,所述立梁的上端设置有两个间隔分布的所述第一导轨,所述第一滑块滑动连接于所述第一导轨,所述第一滑块的上部设置有两个间隔分布的所述第二导轨,所述第二滑块滑动连接于所述第二导轨,所述激光切割器安装于所述第二滑块的下部;所述底板上安装有伺服电机,所述伺服电机的输出端安装有吸盘组件,所述吸盘组件上设置有多个吸盘,所述负压泵连通于所述吸盘组件。
与现有技术相比,本实用新型有益效果:本实用新型设置有第一导轨、第二导轨、第一滑块、第二滑块、负压泵和激光切割器,第一滑块沿第一导轨纵向移动,第二滑块沿第二导轨横向移动,使得激光切割器多方位移动,便于切割,伺服电机带动矽晶片旋转,转换方向,负压泵为吸盘组件提供负压力,吸盘用于吸住矽晶片起到固定作用。
进一步的,所述立梁的一端安装有第一伸缩气缸,所述第一伸缩气缸的输出端固定于所述第一滑块。
采用进一步的技术方案有益效果:第一伸缩气缸为第一滑块提供驱动力。
进一步的,所述第一滑块的其中一端安装有第二伸缩气缸,所述第二伸缩气缸的输出端固定于所述第二滑块。
采用进一步的技术方案有益效果:第二伸缩气缸为第二滑块提供驱动力。
进一步的,所述第一伸缩气缸和第二伸缩气缸均连通有气泵。
采用进一步的技术方案有益效果:气泵分别为第一伸缩气缸和第二伸缩气缸提供气源。
进一步的,所述负压泵、气泵和伺服电机均电连接有控制器。
采用进一步的技术方案有益效果:控制器控制负压泵、气泵和伺服电机,提高工作效率。
进一步的,所述第二滑块的下部设置有限位器。
采用进一步的技术方案有益效果:限位器起到限位作用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造