[实用新型]太赫兹单元、太赫兹器件及滤波器有效

专利信息
申请号: 201920124741.9 申请日: 2019-01-24
公开(公告)号: CN209133658U 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 范瑜;梅中磊 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01Q15/00;G02B5/20
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 杨鹏
地址: 730000 甘肃省兰州*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 滤波器 低频通带 外金属片 吸收率 本实用新型 顶部结构 温控材料 超材料 多片 温控 阻带 应用 基底金属层 中间介质层 带宽可调 控制器件 内金属片 温度传感 依次设置 周向间隔 可调的 双功能 频段 带宽
【权利要求书】:

1.一种太赫兹单元,其特征在于,所述太赫兹单元包括上下依次设置的顶部结构层、中间介质层以及基底金属层;所述顶部结构层包括依次从内向外套设抵靠布置的内金属片、中间温控材料环以及外金属片;

所述外金属片的数量为多片,多片外金属片沿所述中间温控材料环的周向间隔设置;

所述内金属片、所述中间温控材料环的中心点重合,且所述基底金属层、中间介质层以及顶部结构层的中心点位于同一直线上。

2.根据权利要求1所述的太赫兹单元,其特征在于,所述顶部结构层的面积小于所述中间介质层的面积,且所述顶部结构层的最外侧边缘位于所述中间介质层的边缘内侧。

3.根据权利要求1或2所述的太赫兹单元,其特征在于,所述基底金属层为正方形,所述中间介质层为正方形;

且所述基底金属层四条侧边与所述中间介质层的四条侧边分别平行设置。

4.根据权利要求3所述的太赫兹单元,其特征在于,所述中间介质层与所基底金属层的边长相同,且所述中间介质层与所述基底金属层的侧边分别对齐平行设置。

5.根据权利要求4所述的太赫兹单元,其特征在于,所述内金属片为正方形,所述中间温控材料环的内沿为与所述内金属片的外沿适配的正方形。

6.根据权利要求5所述的太赫兹单元,其特征在于,所述中间温控材料环的外沿呈正方形。

7.根据权利要求6所述的太赫兹单元,其特征在于,所述外金属片包括三片,分别为第一外金属片、第二外金属片和第三外金属片,所述第一外金属片和第二外金属片分别呈L型,所述第三外金属片呈条形;

所述第一外金属片和第二外金属片的顶角分别对应包覆在所述中间温控材料环的两个相邻的顶点上,且第一外金属片和第二外金属片位于所述中间温控材料环的同一侧边上的侧边间隔第一预设空隙设置,所述第一外金属片远离所述第二外金属片的侧边与所述第三外金属片设置在所述中间温控材料环的同一侧边上,且所述第一外金属片远离所述第二外金属片的侧边与所述第三外金属片间隔第二预设空隙设置;所述第二外金属片远离所述第一外金属片的侧边完全覆盖其对应的所述中间温控材料环的侧边。

8.根据权利要求7所述的太赫兹单元,其特征在于,所述第一预设空隙设置在其对应的所述中间温控材料环的侧边的中部,且第一预设空隙以所述其对应的所述中间温控材料环的侧边的中线对称;

所述第二预设空隙设置在其对应的所述中间温控材料环的侧边的中部,且第二预设空隙以其对应的所述中间温控材料环的侧边的中线对称。

9.一种太赫兹器件,其特征在于,所述太赫兹器件包括多个上述权利要求1-8任一项所述的太赫兹单元;

多个所述太赫兹单元依次成行成列排列,且相邻太赫兹单元的基底金属层抵靠对齐设置,相邻太赫兹单元的中间介质层抵靠对齐设置。

10.一种滤波器,其特征在于,所述滤波器上设置有权利要求9所述的太赫兹器件。

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