[实用新型]一种高频IGBT模块

说明书

本实用新型提供了一种高频IGBT模块，包括底座、固定于所述底座上的壳体以及安装于底座上且位于所述底座与所述壳体之间的空腔的IGBT芯片，还包括导热管、导热片和散热装置，所述导热管可拆卸在所述壳体的外侧，所述导热片穿设于所述壳体，所述导热片同时与所述IGBT芯片和所述导热管接触，所述散热装置连接于所述导热管，达到对高频IGBT模块进行散热的目的。

技术领域

本实用新型属于功率模块技术领域，更具体地说，是涉及一种高频IGBT模块。

背景技术

随着电子技术的发展，功率模块被广泛地应用于各种电子产品中，尤其是IGBT模块，其广泛地应用于带有开关电源的控制器以及电动汽车控制器等各个领域。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是89年代中期问世的一种复合型电力电子器件，从结构上说，相当于一个有MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效晶体管)驱动的厚基区的BJT(Bipolar Junction Transistor,双极结型晶体管)，IGBT既有MOSFET的快速响应、高输入阻抗、热稳定性好、驱动电路简单的特性，也具备BJT的电流密度高、通态压降低，耐压高的特性，被广泛应用于电力电子设备中。

现有的IGBT模块包括壳体、固定于壳体内的底座、及安装底座的顶面处且包括IGBT芯片的电子元器件，底座的顶面设置有多组与IGBT芯片相对应的正电极与正电极相对应的负电极；底座的边缘处设置有若干个安装孔及穿过安装孔用于将底座固定于壳体内的固定件，底座的顶面还设置有若干个凹槽，每个凹槽位于一安装孔与电子元器件之间；底座的顶面设置有多个绝缘的隔离层，每个隔离层位于底座上以IGBT芯片的正电极和负电极之间。

但是，IGBT模块在通电使用的过程中，容易产生大量的热量，进而影响IGBT模块自身的性能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高频IGBT模块，以解决现有技术中存在的IGBT模块在通电使用的过程中，容易产生大量的热量，进而影响IGBT模块自身的性能的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种高频IGBT模块，包括底座、固定于所述底座上的壳体以及安装于底座上且位于所述底座与所述壳体之间的空腔的IGBT芯片，还包括导热管、导热片和散热装置，所述导热管可拆卸在所述壳体的外侧，所述导热片穿设于所述壳体，所述导热片同时与所述IGBT芯片和所述导热管接触，所述散热装置连接于所述导热管。

进一步地，所述散热装置包括散热风扇，所述导热管上设有进风口和出风口，所述散热风扇的出风侧通过进风管连接于所述导热管的进风口，所述出风口连通外界。

进一步地，所述散热装置包括水冷装置，所述导热管上设有进水口和出水口，所述水冷装置的出水端通过进水管连接于所述导热管的进水口，所述水冷装置的进水端通过出水管连接于所述导热管的出水口。

进一步地，所述IGBT芯片和所述导热片之间设有导热介质。

进一步地，所述壳体为金属体。

进一步地，所述导热管为金属管。

进一步地，所述底座为金属座。

进一步地，所述导热管呈环状，所述导热管套设在所述壳体上。

进一步地，还包括弹片和固定在所述弹片上的凸块，所述壳体上设有凹槽，所述弹片固定在所述导热管上，所述凸块在所述弹片的作用力下卡接在所述凹槽内。

进一步地，还包括螺纹件，所述弹片上设有第一通孔，所述凸块上设有第二通孔，所述凹槽内设有第三通孔，所述螺纹件同时穿设所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔且同时螺纹连接于所述弹片、所述凸块和所述壳体上。