[实用新型]一种水处理BDD电极有效
申请号: | 201920127117.4 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN209778398U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 王兵;熊鹰 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学 |
主分类号: | C02F1/461 | 分类号: | C02F1/461 |
代理公司: | 51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钱成岑;管高峰 |
地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 本实用新型 电解池 带孔 硅基 平片 掺硼金刚石薄膜 孔洞 阴极 电解池装置 垂直表面 基体表面 孔洞表面 平板金属 整体成本 插板式 重掺杂 电极 水处理 硅片 覆盖 | ||
1.一种水处理BDD电极,其特征在于:电极以重掺杂硅片为基体,基体表面分布有孔洞,基体和孔洞表面覆盖一层掺硼金刚石薄膜;
所述基体中的孔洞直径为基体厚度的2倍以上,靠近基体边沿的一个孔洞为半通孔,其余孔洞均为通孔。
2.如权利要求1所述的一种水处理BDD电极,其特征在于:所述基体表面的孔洞均匀分布;基体为方形或圆形;方形基体的孔洞沿纵横方向等间距均匀分布;圆形基体的孔洞沿径向等间距均匀分布,孔洞间距大小与孔洞直径相等。
3.如权利要求 1 所述的一种水处理BDD电极,其特征在于:所述孔洞直径为基体厚度的2倍。
4.如权利要求 1 所述的一种水处理BDD电极,其特征在于:所述电极还包括引线,所述引线为金属导线。
5.如权利要求 4所述的一种水处理BDD电极,其特征在于:所述引线通过导电银浆和半通孔相连引出。
6.如权利要求5所述的一种水处理BDD电极,其特征在于:所述半通孔表面还设置有耐腐蚀绝缘体层,将连接好的半通孔封实。
7.如权利要求 6所述的一种水处理BDD电极,其特征在于:所述耐腐蚀绝缘体层为环氧树脂。
8.如权利要求 1 所述的一种水处理BDD电极,其特征在于:所述掺硼金刚石薄膜厚度为3μm 以上。
9.如权利要求 8所述的一种水处理BDD电极,其特征在于:所述掺硼金刚石薄膜厚度为3μm~20μm。
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