[实用新型]一种NPN型高压大电流超高功率晶体管

权利要求书

1.一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，包括有源区（001）和环绕在所述有源区（001）外围的终端保护区（002），所述有源区（001）包括若干个相互并联的晶体管单元，其特征在于，所述晶体管单元包括N-外延层（3）、位于N-外延层（3）内的P-基区（4）及位于所述P-基区（4）两侧的P+基区（5），在所述P+基区（5）间设有N+发射区（6）及环绕在所述N+发射区（6）四周的N+环（7），所述N+发射区（6）和N+环（7）的结深相同，且均小于P-基区（4）的结深。

2.根据权利要求1所述的一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，其特征在于，在有源区（001）内，在所述P+基区（5）上覆盖有第一基区金属条（52），在所述N+发射区（6）上覆盖有第一发射区金属条（62），所述第一基区金属条（52）、第一发射区金属条（62）间均通过绝缘层介质（10）隔离。

3.根据权利要求2所述的一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，其特征在于，在有源区（001）内，所述N+发射区（6）由若干等距间隔排列的柱状发射区晶格单元（61）组成，所述柱状发射区晶格单元（61）通过第一发射区金属条（62）分别与第一发射极电极（6a）、第二发射极电极（6b）连接，所述第一发射极电极（6a）和第二发射极电极（6b）间通过第二发射区金属条（63）连接导通。

4.根据权利要求2所述的一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，其特征在于，在有源区（001）内，所述P+基区（5）由若干等距离间隔排列的条状基区晶格单元（51）组成，所述条状基区晶格单元（51）通过第一基区金属条（52）分别与第一基极电极（5a）、第二基极电极（5b）连接，所述第一基极电极（5a）和第二基极电极（5b）间通过第二基区金属条（53）连接导通。

5.根据权利要求1所述的一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，其特征在于，在有源区（001）内，在所述N-外延层（3）下方邻接有N+衬底层（2），在所述N+衬底层（2）下方邻接有用于引出晶体管集电极C的背面金属层（1）。

6.根据权利要求1所述的一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，其特征在于，在终端保护区（002），包括背面金属层（1）、位于背面金属层（1）上且与其邻接的N+衬底层（2）及位于N+衬底层（2）上且与其邻接的N-外延层（3），从有源区（001）指向终端保护区（002）的方向上，在所述N-外延层（3）内依次设有三个等间距的P+型保护环（8）及一个N+型保护环（9）。

7.根据权利要求6所述的一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，其特征在于，所述P+型保护环（8）的结深大于N+型保护环（9）的结深。

8.根据权利要求1所述的一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，其特征在于，所述P-基区（4）的结深与P+基区环（5）的结深相同。

9.根据权利要求2所述的一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，其特征在于，所述绝缘层介质（10）为PSG/SiO₂/Si₃N₄的钝化层。