[实用新型]底边驱动的短路保护电路

说明书

本实用新型公开了一种底边驱动的短路保护电路，该电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。所述三极管Q1为NPN型三极管。所述三极管Q2为NPN型三极管。所述三极管Q3为PNP型三极管。所述MOS管Q4为N沟道MOSFET管或NPN型三极管代替。

技术领域：

本实用新型涉及汽车控制电路，特别涉及一种底边驱动的短路保护电路。

背景技术：

当前，随着汽车对安全性要求越来越高，对各种保护电路功能要求越来越多。

传统的底边驱动负载的电路，短路保护功能电路多采用运放搭建，或采用自带短路保护功能的驱动芯片，诸如市场使用的VN7040驱动芯片，其工作电压范围窄DC:4—28V，驱动电流小、价格高。这些驱动芯片功耗大、成本高、电路复杂。

实用新型内容：

鉴于上述技术问题，本实用新型提供了一种底边驱动的短路保护电路。该电路采用市场常规元器件，成本低，驱动能力可根据MOS管(或三极管)Q4的选择设定，可满足不同功率负载的驱动，驱动范围大。

本实用新型的具体技术方案如下：

底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。

上述方案中，所述三极管Q1为NPN型三极管。

上述方案中，所述三极管Q2为NPN型三极管。

上述方案中，所述三极管Q3为PNP型三极管。

上述方案中，所述MOS管Q4为N沟道MOSFET管。

上述方案中，所述MOS管Q4还可以用NPN型三极管代替。

本实用新型所述电路的有益效果如下：

1.控制信号开启驱动短路保护电路。

2.正常工作保护短路不会误动作。

3.短路保护。

附图说明：

以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本实用新型。

图1为本实用新型所述采用MOS管的底边驱动的短路保护电路结构图。

图2为本实用新型所述采用三极管的底边驱动的短路保护电路结构图。

具体实施方式：

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。