[实用新型]使用磁路并联的逆变器有效
申请号: | 201920152894.4 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN209608557U | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 崔晓凯 | 申请(专利权)人: | 青岛艾迪森科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/493 | 分类号: | H02M7/493 |
代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 巩同海 |
地址: | 266101 山东省青岛市莱西市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逆变器 本实用新型 电感 磁路并联 工业级 共轭 两组 集电极连接 二极管 并联输出 电感串接 间接并联 连接电感 直流输入 多磁路 发射极 反并联 输入端 新结构 并联 磁路 变压器 送入 | ||
本实用新型涉及一种使用磁路并联的逆变器,属于工业级逆变器技术领域。本实用新型是一种新结构的逆变器,包括共轭电感和n个IGBT全桥逆变器,直流输入通过共轭电感送入n个IGBT全桥逆变器,并且任何两个IGBT全桥逆变器通过多磁路实现并联输出;IGBT逆变器在每一相上均设有结构相同且包括并联的两组逆变器,在两组逆变器的输入端之间连接电感,电感串接变压器。IGBT逆变器之间通过磁路间接并联,其每组逆变器包括IGBT开关管Q1、Q2,IGBT开关管Q1的发射极与IGBT开关管Q2的集电极连接,每个IGBT开关管Q1、Q2反并联一个二极管。本实用新型可广泛运用于工业级逆变器场合。
技术领域
本实用新型涉及一种使用磁路并联的逆变器,属于工业级逆变器技术领域。
背景技术
大功率的逆变器,使用的IGBT器件电流、电压容量很高。如针对全桥逆变器,设计余量150%,如果直流输入为220V±25%,输出交流电压110V,输出功率30KW,经计算可知IGBT的电压电流额定参数至少为600A600V左右;如果直流输入为360V±25%,输出交流电压220V,输出功率40KW,经计算可知IGBT的电压电流额定参数至少为400A1200V左右。
受半导体行业的技术、工艺等各种因素的制约,各主流品牌(英飞凌、富士、西门康、三菱等)在产的IGBT,目前量产器件的最大容量存在上限,Uces为600V的单管IGBT,连续导通时的Ic不超过600A;Uces为1200V的单管IGBT,连续导通时的Ic不超过400A。即目前使用IGBT架构的交流逆变器输出功率不超过40KW。
容量更大的IGBT,性价比急剧下降,一般不再适合应用在产品内。
如上所述,如果需要更大输出功率的逆变器,正常使用IGBT已无法实现,目前行业内一般采用将IGBT并联以获得更大电流容量的方式或者采用使用多电平技术将IGBT串联以获得更高电压容量的方式,以此架构更大功率的逆变器。
使用串并联方式,虽然解决了实现更大功率的逆变器的问题,但是带来了很多无法解决的技术缺陷,下文中将逐一分析。
(一)、使用IGBT并联搭建大功率的逆变器,是现有应用较为广泛的技术,目前多采用IGBT/MOSFET直接并联,并联运行的器件共用一套控制器,控制策略等同于对一组逆变器的控制,共用同一触发信号源。优点是成本低、控制较为简单,是现有应用较为广泛的技术。
逆变器输出直接并联电路的拓扑等同于IGBT直接并联,技术特点与使用IGBT并联一样。
其缺陷如下:
1.多只IGBT器件并联使用时,对每只IGBT的参数一致性要求很高,一致性稍差,流过每只IGBT的电流就会不一致,某只电流较大的IGBT很容易因为过电流而烧坏。现实情况很难实现多只IGBT器件的参数完全一致,这就带来了逆变器的质量隐患。
2.多只IGBT并联使用时,每只IGBT的C极、E极端均各自直接并联在一起,每只IGBT的Uce电压幅值无法监测,当IGBT过流时,其有效的快速检测方式是监视其Uce电压幅值是否异常,而此时却无法检测,也就无法对其实施快速有效的过流保护,这就带来了逆变器的另一个质量隐患。
(二)、使用多电平技术将IGBT串联以搭建大功率的逆变器,是大功率逆变器行业的另一项技术,目前风电变流器、部分光伏逆变器多采用三电平技术,将两只并联IGBT串联,配合以其它器件以及专门的控制策略,实现逆变器输出功率的倍增。高压变频器行业一般采用多电平技术,配合整流侧的移相变压器,实现多组逆变器输出电压、功率的叠加。
该技术的优点是可降低开关频率、降低输出谐波、降低输出滤波器成本。
其缺点如下:
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