[实用新型]IGBT半桥模块有效
| 申请号： | 201920161495.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN209374447U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 钱进;轩永辉 | 申请（专利权）人： | 宁波达新半导体有限公司;杭州达新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/498;H01L23/492 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 信号端子 陶瓷覆铜板 底板 栅极信号端子 本实用新型 发射极信号 铝线键合 芯片单元 直接焊接 功率端子 生产效率 发射极 支撑 制造 | ||
1.一种IGBT半桥模块，其特征在于，包括：底板、芯片单元、陶瓷覆铜板、功率端子、信号端子和信号端子座；
一个所述芯片单元包括一个IGBT芯片和一个FRD芯片；
所述信号端子包括栅极信号端子和发射极信号端子，所述信号端子都直接焊接在所述陶瓷覆铜板上，所述IGBT芯片的栅极通过铝线键合在所述陶瓷覆铜板上并引出到对应的所述栅极信号端子上，所述IGBT芯片的发射极通过铝线键合在所述陶瓷覆铜板上并引出到对应的所述发射极信号端子上；
所述陶瓷覆铜板直接焊接在所述底板上；
所述信号端子支撑在对应的所述信号端子座上。
2.如权利要求1所述的IGBT半桥模块，其特征在于：所述信号端子采用褶边，在所述信号端子的焊接位置处具有开孔。
3.如权利要求2所述的IGBT半桥模块，其特征在于：所述信号端子的主干部分为弯曲结构。
4.如权利要求3所述的IGBT半桥模块，其特征在于：所述信号端子座上设置有供所述信号端子的主干部分卡置的凹槽结构。
5.如权利要求4所述的IGBT半桥模块，其特征在于：所述信号端子座和外壳接触的面上设置有倒角。
6.如权利要求1所述的IGBT半桥模块，其特征在于：所述信号端子座通过所述功率端子定位在所述底板上。
7.如权利要求3所述的IGBT半桥模块，其特征在于：所述IGBT半桥模块包括两块所述陶瓷覆铜板，各所述陶瓷覆铜板设置有一个所述芯片单元，所述信号端子的数量为4个，所述功率端子的数量是3个，所述信号端子座的数量为2个。
8.如权利要求7所述的IGBT半桥模块，其特征在于：两块所述陶瓷覆铜板之间采用铝线键合连接。
9.如权利要求7所述的IGBT半桥模块，其特征在于：两个所述信号端子座设置在同一个所述功率端子的两侧，一个所述信号端子座上设置有两个凹槽结构且两个所述凹槽结构互相平行，两个所述凹槽结构分别供同一个所述芯片单元的所述IGBT芯片的栅极信号端子和发射极信号端子卡置，同一个所述芯片单元的所述IGBT芯片的栅极信号端子和发射极信号端子互相平行。
10.如权利要求7所述的IGBT半桥模块，其特征在于：所述功率端子具有一个折弯且在折弯处开有槽口；中间功率端子使用双脚支撑。
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