[实用新型]MOS抗脉冲电流测试电路

说明书

本实用新型涉及MOS管测试设备技术领域，具体涉及一种MOS抗脉冲电流测试电路。所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块，所述电源电路模块分别与MOS测试电路模块和控制电路模块连接；MOS测试电路模块，所述MOS测试电路模块包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路的输入端连接控制电路模块的低电平输出端C‑，所述控制电路模块的低电平输出端C‑输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路驱动打开所述测试MOS管V4；控制电路模块，所述控制电路模块包括单片机U3及其外围电路。所述MOS抗脉冲电流测试电路通过抗脉冲保护电路的抗脉冲性能能够防止能够有效地防止整个MOS测试电路模块被烧毁。

技术领域

本实用新型涉及MOS管测试设备技术领域，具体涉及一种MOS抗脉冲电流测试电路。

背景技术

MOS在各种应用场合都会遇到开机大电流和负载短路时候的电流冲击问题，但是MOS管在这种大电流冲击下，能经受多大电流及多长时间，用者并没有一个量化的参数，MOS管原厂厂家虽然会提供一个的值，但是绝大多数请款下这个值只是简单的利用*4简单得出，测试条件、脉冲宽度条件都不会给出，无法得出量化条件。另外，虽然也可以通过动态热阻曲线图计算得出，但是国内大多数厂家的这张曲线图是通过仿真或其他途径得出，并不是每个产品都是实测值。

发明内容

为了解决现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种MOS抗脉冲电流测试电路，所述MOS抗脉冲电流测试电路通过抗脉冲保护电路的抗脉冲性能能够防止能够有效地防止整个MOS测试电路模块被烧毁。

根据本实用新型提供的技术方案，一种MOS抗脉冲电流测试电路，所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：

电源电路模块，所述电源电路模块分别与MOS测试电路模块和控制电路模块连接；

MOS测试电路模块，所述MOS测试电路模块包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路的输入端连接控制电路模块的低电平输出端C-，所述控制电路模块的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路驱动打开所述测试MOS管V4；所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路的输出端；

控制电路模块，所述控制电路模块包括单片机U3及其外围电路。

进一步地， 所述抗脉冲保护电路包括并联的第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3并联的源极为所述抗脉冲保护电路的输出端；所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的栅极共同连接保护MOS管栅极驱动电路的输出端。

进一步地，所述测试MOS管栅极驱动电路包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；

所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地。