[实用新型]一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头有效
申请号: | 201920166159.9 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN209858486U | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 刘东旭;周学农;贾鑫 | 申请(专利权)人: | 平拓(上海)新材料科技有限公司 |
主分类号: | G01N29/24 | 分类号: | G01N29/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201800 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 瓦状 压电晶片 匹配层材料 本实用新型 下电极引线 电极引线 奥氏体 薄壁管 楔块 盲区 压电复合材料 烘箱 表面焊接 电极表面 电学模块 复合晶片 固化成型 下电极层 焊缝 电极层 上表面 下表面 下电极 斜探头 信噪比 检测 超声 放入 高信 晶片 粘接 纵波 焊接 加热 模具 会聚 | ||
1.一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述的瓦状复合晶片纵波斜探头的结构从上至下包含电学模块、引线、背衬材料、瓦状压电晶片、匹配层材料、楔块,所述的瓦状压电晶片的上表面镀有上电极层,瓦状压电晶片的下表面镀有下电极层,所述的瓦状压电晶片和匹配层材料粘接在一起,所述的带有匹配层材料的瓦状压电晶片放入模具中在烘箱温度加热使其弯曲成和楔块一样的弧度,并固化成型,所述的带有匹配层材料的瓦状压电晶片粘接到楔块的弧面上,所述的瓦状压电晶片的上电极表面焊接上电极引线,瓦状压电晶片的下电极表面焊接下电极引线,所述的上电极引线和下电极引线与电学模块连接。
2.根据权利要求1所述的一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述的瓦状压电晶片和匹配层材料通过胶水固定粘结成一体,所述的瓦状压电晶片背面导入背衬材料。
3.根据权利要求1所述的一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述的匹配层材料可采用聚合物和填料按照不同填充比来调配。
4.根据权利要求1所述的一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述的瓦状压电晶片为压电陶瓷和环氧复合材料。
5.根据权利要求1所述的一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述的背衬材料为含有气孔的高声阻抗高声衰减的复合材料。
6.根据权利要求1所述的一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述的楔块是由机玻璃材料加工而成。
7.根据权利要求1所述的一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述上电极引线和下电极引线为高屏蔽性的单芯同轴电缆。
8.根据权利要求1所述的一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述的楔块上加工弧面,楔块上加工有锯齿状声陷阱。
9.根据权利要求1所述的一种奥氏体薄壁管焊缝小盲区高信噪比的瓦状复合晶片纵波斜探头,其特征在于:所述的焊接上电极引线和下电极引线的瓦状压电晶片装入内衬套铜管内,所述的背衬材料倒入到内衬套铜管内,所述的瓦状复合晶片纵波斜探头封装在外壳中,所述的上电极引线和下电极引线接入同轴电缆,同轴电缆上安装护线套。
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